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芯片断路 芯片的寿命一般是多长?为什么充电的时候不要玩手机?
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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芯片的寿命一般是多长?为什么充电的时候不要玩手机?

很多人都听说过“在手机充电的时候,不要使用”,至于原因基本上也都是导致手机过热、烧坏主板,也有的认为会导致电池寿命缩短,还有的认为手机充电的时候,存在漏电的可能。

这些说法都是有着一定的道理的。不过,科技风景线倒是愿意从另外一个角度给大家说下“为什么在充电的时候不要用手机”。

手机中有一个核心部件:芯片,而芯片是有寿命的,那么#芯片的寿命一般是多长#

先说答案:一般的芯片使用5、6年没有问题,有的用上十来年也照常使用,关键还是要看芯片的使用方式,和我们日常所用的产品一样,一旦过度使用,也是会出现问题的,严重的自然导致芯片寿命缩短。

至于这里面所说的“过度使用”,到底怎么使用才算是过度使用,文章的后面自然会给大家说个清楚明了,而这里先说的是哪些芯片的寿命长,哪些芯片的寿命短,也就是说,芯片寿命长短,主要是要看是什么芯片。

先说一下寿命在5、6年的芯片:硬盘存储芯片。

存储上的芯片寿命是存在磨损影响的,每一次的写入以及擦除,都是对存储芯片的一次“物理伤害”,不说现在的SLC闪存芯片可进行100000次写入擦除循环,如果这个要是在高强度的使用状态下,一般5、6年就报废了,如果要是在服务器上使用的话,估计更短。

只是现在硬盘的主控芯片比较厉害,对存储的使用有着很好的调度,起到了保护硬盘的作用,所以大家的电脑或者手机,用上十来年也很常见。

这里再说下为什么现在市面上的很多内存条是终身质保的,原因是内存条和硬盘,都是属于存储产品,但是两者却不是一码事。

再说一下寿命用个十来年也没有问题的芯片:CPU。这个就是平常所说的手机、电脑处理器芯片了,这个一般不会出现什么问题,我们也很少听说使用手机出现CPU报废的情况而导致更换手机了,大多都是屏幕、主板等出问题了。

还有一个问题:为什么芯片也有使用寿命呢?这话看起来有点不可思议,就像我们看待万物一样,都是有寿命的,但是原因是什么呢?其实要回答芯片为什么会有使用寿命,倒是简单多了。

相信大家都听过集成电路这个概念,其实也可以将芯片看作是集成电路的俗称,既然是集成电路,那就会涉及到​晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线等等,而它的工作过程同样可以简单​的​看作是电子的运动。

关键内容来了,电子在运动中是有着动能的,而金属中还存在原子,面对电子的多次撞击,不免会出现一些脱离的情况,这就是微电子科学领域的“电子迁移”现象,而这个“电子迁移”正是决定芯片寿命的关键。

“电子迁移”的起因是电子的流动撞击了金属原子,而金属原子一旦移动脱离,就会在电路上到处流窜,其结果就是使得原本很光滑的金属表面变得凹凸不平,这是一种永久性的伤害,久而久之自然导致电路损坏,比如短路、断路等问题。

关于电子迁移,还有一个现象,就是温度越高,电子动能越大,在流动过程中,对原子的撞击就越大,原子脱离现象也就越严重,这对集成电路内部中一条线路的破坏也就越厉害,损坏整个集成电路,也就是导致芯片报废的时间越短。

说到这里,相信大家已经知道,芯片出现问题是一定的,报废只是早晚的事情,而要想芯片多用一段时间,温度很关键,说到温度因素,就​涉及到​芯片的使用问题了。

知道了芯片寿命,接下来再说说有关影响芯片寿命的因素,知道了这些,基本上也就能避开“过度使用”芯片了。要想让自己的芯片寿命更长一些,你需要注意以下几个方面:

1、持续高温使用:持续高温使用,无论是手机还是电脑,都会影响寿命,也都会影响到芯片的寿命;

2、超频使用: 芯片在设计的时候,都是有着固定的额定频率来对应自身的性能的,同时也是对芯片的一种保护,有些人为了提升芯片的性能而超频使用,虽然性能提升了,但是一定会损坏到芯片,且容易出现系统不稳定,结果就有可能烧坏芯片。

3、注意静电防护:静电发生的时候往往会导致芯片内部电路损坏,或者是绝缘防护层被击穿,如果发生一次静电,就有可能导致芯片的永久报废。

最后,手机在充电的过程中不可避免地会导致温度有所提升,尽管现在手机散热技术已经很不错了,但是如果这时候还玩手机的话,处理器本身也会升温,这样两者的叠加因素就会给芯片带来一定的伤害,自然会影响到手机的寿命。

还是那句话,虽然手机散热技术、芯片本身寿命都足以使​得​我们的手机使用不到寿终正寝,就要更新换代了,但是事情总有万一,万一提前终结了呢?

长鑫存储取得集成电路存储器及其形成方法专利,显著降低接触垫与传导线之间发生断路以及相邻传导线之间发生短路的风险

金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“集成电路存储器及其形成方法“,授权公告号CN114283861B,申请日期为2020年9月。

专利摘要显示,本申请提供一种集成电路存储器及其形成方法,该存储器包括:一衬底,衬底中设置有多个呈阵列式排布的有源区;一传导线组,形成在衬底中,传导线组包括多条沿第一方向依次排布的传导线,每一传导线在第二方向上延伸并与相应的有源区连接,相邻的两条传导线同一侧的端部在第二方向上相互错开;多个接触垫,形成在衬底上,一个接触垫与一条传导线的端部连接,位于同一侧相邻的两个接触垫在第二方向上相互错开。从而有效地扩大接触垫与传导线之间不发生断路所对应的极限光刻工艺窗口以及扩大相邻传导线之间不发生短路所对应的极限光刻工艺窗口,从进而可以显著的降低接触垫与传导线之间发生断路以及相邻传导线之间发生短路的风险。

本文源自金融界

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