IC卡和ID卡的区别

IC卡和ID卡是两种不同类型的智能卡，主要区别在于它们的工作原理、应用场景和安全性能。

1、IC卡：是将一个微电子芯片嵌入符合ISO 7816标准的卡基中，做成卡片形式。

2、ID卡：是一种不可写入的感应卡，含固定的编号。

两者工作频率不一样，IC卡与ID卡是两个不同频率的芯片卡，这也决定了他们是不能通用的，也不能同时使用在同一个读卡器上，除非读卡器是复合双频的读卡器。IC卡是高频卡，频率是13.56MHZ，ID卡是低频卡，频率是125KHZ，频段的不同，也注定了他们天生的不一样。

IC卡与ID卡的不同

IC卡（Integrated Circuit Card）

工作原理 ：IC卡内部集成了一个或多个集成电路（IC），可以进行数据存储和处理。常见的IC卡包括存储卡和CPU卡。

数据处理能力 ：IC卡可以进行复杂的逻辑运算和数据加密，具备较高的安全性。

应用场景 ：广泛应用于银行、通信、交通、门禁系统等领域，如银行卡、手机SIM卡、公交卡等。

读卡设备 ：需要专门的读卡器进行数据交互。

ID卡（Identification Card）

工作原理 ：ID卡是一种只读卡，内部通常集成了一个唯一的识别码，通过射频技术（RFID）进行识别。

数据处理能力 ：ID卡不具备数据处理能力，仅存储唯一的识别码，安全性较低。

应用场景 ：主要用于身份识别、门禁系统等简单的场景，如门禁卡、考勤卡等。

读卡设备 ：通过射频识别设备读取卡片上的识别码，无需物理接触。

区别总结

功能 ：IC卡具备数据处理和加密能力，ID卡只能进行简单的身份识别。

安全性 ：IC卡的安全性更高，因为它可以进行数据加密和身份验证。

应用场景 ：IC卡应用更为广泛，特别是在需要高安全性的场景中，而ID卡主要用于简单的身份识别。

ID卡里面通常集成了一个射频识别芯片（RFID芯片）。这个芯片包含一个唯一的识别码，用于身份识别。尽管它内部也有芯片，但与IC卡不同，ID卡的芯片仅用于存储和传输识别码数据，没有数据处理和存储能力。

ID卡芯片的特点

唯一识别码 ：芯片内存储一个唯一的识别码，用于身份识别。

无数据处理能力 ：芯片不具备数据处理和加密能力，仅能传输存储的识别码。

射频识别 ：通过射频技术（RFID）与读卡设备进行通信，通常不需要物理接触。

总的来说，虽然ID卡内部也有芯片，但其功能和IC卡的集成电路芯片相比要简单得多，主要用于简单的身份验证和识别场景。

IC卡和ID卡各有其优缺点，选择使用哪种卡取决于具体的应用需求和安全要求。

有据核查：中科院研发3纳米光子芯片了吗？

编者按 ：近期网络出现大批“中科院3纳米光子芯片”弯道超车“、“世界领先”、“ASML要哭了”等毫无任何信源的科技消息，它们来自哪里？

2023年2月8日，《每日经济新闻》报道，有投资者在投资者互动平台询问上市公司仕佳光子是否有参与中科院主导的“3纳米光子芯片生产线”，该公司表示“暂未参与3纳米光子芯片项目”。

那么，到底有没有“3纳米光子芯片项目”呢？

经过核查，我发现一个“柏铭科技 ”的账号在多个媒体和社交平台发布大量描写光子芯片、量子芯片等领域的文章。

比如在知乎的文章《在光子芯片之后，中国也取得量子芯片突破，不再需要EUV光刻机》中指出：

“日前《北京日报》报道指中国筹建全球第一条光 子芯片生产线，预计到2023年实现量产，这就意味着中国在光子芯片商用方面走在了世界前面。量子芯片和光子芯片的突破，为中国芯片行业的发展打开广阔的前景。”

然而，根据2022年10月18日，北京日报的报道，其中明确提到：

记者从中关村前沿科技企业中科鑫通 获悉，国内首条 “多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线预计将于2023年在京建成，填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白 。

很显然，自媒体随意将“填补空白”“国内首条”篡改成“世界第一条” ，把一个中国大幅落后的领域直接篡改成了“世界第一”！

实际上，这个“柏铭科技”账号发表多篇报道，但是在最早的2022年10月25日的文章，明确写道：“据《北京日报》报道指中国正筹建光子芯片生产线 ”。

但时候到了一周以后，该账号直接将以上报道篡改为“日前《北京日报》报道指中国筹建全球第一条光子芯片生产线 ”。

同样的账号，在2023年1月31日撰文《中科院3纳米芯片将在明年商用，美国和ASML这下子傻眼了》，标题中使用了“中科院3纳米芯片”的字样。

但是，这篇文章，在文章里直接臆造了3纳米光子芯片：

“这次中国在3纳米芯片技术上的突破其实就是光子芯片 ，由中科院推动，进展相当快”。

文中信誓旦旦的写道“今日消息指中科院也宣布了3纳米光子芯片晶体管 技术取得突破”，纯属臆测，没有任何信息来源，没有任何根据！

经过调查，2019年5月28日，参考信息引用了一篇港媒报道《中国3纳米晶体管研发获突破 在芯片前沿发起正面竞争》。这篇文章报道：

中科院微电子所的殷华湘团队发明3纳米晶体管。

而从2019年5月28日的报道来看，中科院微电子所只是在传统的FinFET晶体管中做了改进，新技术可以将晶体管驱动电量降低一半的方法，而这种晶体管实现商业化可能要花几年时间。很显然，这种技术和光子芯片没有任何关系 ！

我们在中科院微电子所主页查阅殷华湘的资料，可以看到殷华湘的项目，覆盖了22纳米硅基半导体先进工艺技术、16纳米硅基三维器件、14纳米 FinFET关键工艺、5纳米堆叠纳米线环栅器件等项目，并无任何所谓的“3纳米光子芯片研究” 。

我们在打开参考消息2019年报道中提到的中科院微电子所主页查阅殷华湘的3纳米芯片论文，大家可以很清楚的看到这篇论文的题目：

《FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current using 3 nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2》

这是一篇采用 3 纳米铁电薄膜改进了FinFET的亚阈值摆幅和漏极电流的研究论文，从论文的图1，我们可以看到这是一个典型的FinFET结构，只是中间多了一层4纳米铁电Hf0.5Zr0.5O2薄膜。它和“光子芯片”没有任何关系 ！

2022年，北京日报报道，国内首条 “多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线预计将于2023年在京建成。之所以提到“国内首条”，是由于国外开发“光子芯片”已经有几十年的历史，而全球各地均有大量的光子芯片代工生产线。

我曾经在2022年10月29日撰文指出大量的自媒体不实消息，并在2022年11月6日针对自媒体的虚假消息，指出比利时IMEC在2012年就搭建一条由ArF浸没式光刻机和28纳米工艺的产线。如今已经过去10年，我们的ArF浸没式光刻机仍然在被卡脖子，又哪里来的“世界第一”、“弯道超车”、“3纳米光子芯片”？

实际上，IMEC的光子芯片研究是与全球最主要的半导体公司的合作的，代表了业界的最前沿。而本身所谓的7纳米、3纳米仅仅是针对传统硅基晶体管工艺的缩放节点做的命名，因此，并没有所谓“3纳米光子芯片”的概念。比如，目前台积电根据FinFET结构缩放到3纳米节点，而三星则根据更新一代的GAA结构制造3纳米节点芯片。

结语：2019年，中科院微电子所发表一篇关于FinFET的论文；2022年，北京日报报道中科鑫通建我国首条“光子芯片产线”；这两条新闻，被自媒体改造成，世界第一条光子芯片产线和3纳米光子芯片，以捏造的方式完成了“弯道超车”、“世界领先”。然而，这种没有任何可靠信息来源、胡编乱造的信息，如病毒一般泛滥全网。

参考资料

在光子芯片之后，中国也取得量子芯片突破，不再需要EUV光刻机 - 知乎 (zhihu.com)：https://zhuanlan.zhihu.com/p/580398675

从“电”到“光”！国内首条多材料光子芯片生产线明年建成-今日头条 (toutiao.com)：https://www.toutiao.com/article/7155851033611239936/?channel=&source=search_tab

中科院3纳米芯片将在明年商用，美国和ASML这下子傻眼了 (baidu.com)：https://baijiahao.baidu.com/s?id=1756491670535206587&wfr=spider&for=pc

港媒：中国3纳米晶体管研发获突破 在芯片前沿发起正面竞争（2）_《参考消息》官方网站 (cankaoxiaoxi.com)：http://www.cankaoxiaoxi.com/china/20190528/2381329_2.shtml?bsh_bid=4579490696

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