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芯片东 闪存业务爆发,又欲突破1x纳米制程,东芯股份未来可期?
发布时间 : 2024-10-05
作者 : 小编
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闪存业务爆发,又欲突破1x纳米制程,东芯股份未来可期?

2021年是芯片行业企业业绩“大丰收”的一年,靓丽的业绩预告一个接着一个。在一众芯片企业中,东芯股份业绩也不逊色。其业绩快报显示,2021年东芯股份营业收入11.39亿元,同比增长45.28%;净利润2.62亿元,同比增长1240.81%

科创类型的公司,不仅要看其当下的业绩,更重要的是未来,未来的技术进步,未来的市场空间。作为A股少有的存储器设计企业,东芯股份可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案。

值得一提的是,东芯股份也在积极研发先进制程的闪存产品,比如与中芯国际合作研发的1x纳米闪存项目。目前在2D NAND领域,三星电子、铠侠、美光科技的最高制程分别为16纳米、24纳米和19纳米,若东芯股份成功量产1x纳米闪存,则有望追上行业第一梯队。

业绩爆发

东芯股份业绩快报显示,2021年净利润为2.62亿元,较招股书净利润上限还高0.22亿元。对于业绩大涨的原因,东芯股份表示随着2021年市场回暖,公司产品结构持续优化,高附加值产品提升,同时规模效应逐步显现,销售毛利率提升。另外,对完成导入期的客户销售规模逐步扩大、规模效应逐步显现,使得公司闪存芯片销售规模持续扩大。

东芯股份的主要产品分为NAND、NOR、DRAM和MCP,其中NAND价格的回暖对东芯股份毛利率最为明显。2020年、2021年1-6月,NAND占上市公司总营收的比例分别为50.89%、51.32%,营收占比变化不大,但毛利率表现却迥然不同。2020年,NAND产品毛利率仅为23.02%;2021年1-6月大幅升至43.81%。

这是因为NAND价格的大幅上涨,东芯股份2020年NAND单价为4.66元/颗,2021年1-6月升至7.63元/颗,价格涨幅高达63.73%。

静待销售放量

事实上,东芯股份2021年业绩表现如此优异,也是因为产品进入放量期。芯片行业新产品销售一般需经历平台验证、产品验证及供应商认证等测试流程,所有验证通过后,方可逐步形成规模化的销售。

其中,平台验证需要3-6个月的时间,以测试产品功能、性能与平台系统的适配性;产品验证需要3-6个月的时间,以实现产品与客户整体系统的软硬件环境适配;供应商认证需要6个月-2年的时间,以评估公司是否满足技术、质量、体系、交货等要求。经历上述流程后,根据客户终端产品的销售情况,逐步放量,形成规模化销售。

华鑫证券认为,东芯股份的产品已获得广泛平台认证,期待销售逐步放量。据悉,东芯股份已与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作,通过产品在平台厂商验证的方式,不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度,还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。

目前,东芯股份已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等各大主流平台验证,进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等知名客户的供应链体系。

2021-2022年,东芯股份在通讯设备、可穿戴设备等领域的大客户已完成前期导入,未来产品销售有望进一步放量,从而提升公司的持续盈利能力。

值得注意的是,随着汽车智能化、电动化的发展,汽车电子的需求与日俱增,比如辅助驾驶系统、电池管理系统等,汽车中配置的电子零组件占比越来越高。根据Gartner的数据显示,2019年全球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB,由于智能汽车领域的快速发展,预计至2024年,全球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB,2019-2024年复合增速达79.8%。

车规级存储芯片,也是东芯股份重要的发展方向。东芯股份表示,在满足客户工业级应用需求的基础上,将产品可靠性标准逐步向车规级推进,以顺应汽车产业在智能网联功能的布局,大力发展可靠性要求更高的车规级存储芯片,实现车规级闪存产品的国产替代目标。

要知道,车规级存储芯片在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高。对此,东芯股份认为其凭借在存储芯片领域多年的经验积累和技术储备,打造了以低功耗、高可靠性为特点的闪存芯片产品,部分产品的温控能力、使用寿命已经达到车规级要求,具备了车规级闪存产品的产业化研发能力。

闪存制程水平持续提升

芯片行业属于资本密集型、技术密集型行业,若要维持较高的毛利率水平,必须基于相应的高尖端技术。

目前,东芯股份闪存在工艺制程、部分产品性能方面已达到国内先进水平。NAND方面,长江存储已量产3D NAND,不过其主要面向大容量市场,目标市场与东芯股份有所区别。在中小容量NAND领域,目前兆易创新已量产38纳米SLC NAND 产品,由中芯国际代工。

而东芯股份38纳米、28纳米SLC NAND由中芯国际、中国台湾力晶代工;而由中芯国际代工的24纳米SLC NAND接近量产水平。另外,1x纳米SLC NAND正在开发中。

根据招股说明书显示,东芯股份的1x纳米项目便是19纳米系列产品,据了解,19纳米NAND Flash系列产品采用了国内先进的1x纳米,缩小了器件的特征尺寸,进而缩小了产品封装后的尺寸,可以满足客户的不同需求。同时,也降低了产品功耗,器件性能均得到提高。

若东芯股份能成功量产1x纳米,或有机会在工艺制程方面赶上国际第一梯队。东芯股份认为,与中芯国际合作开发生产1x纳米NAND Flash芯片,实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破,从而为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间,提供先进工艺制程的保障。

芯片制程的升级意味着在单位存储面积上的存储单元密度将会增加,制程的缩小降低了存储芯片的生产成本。从2013年开始,NAND Flash领先制程由2xnm逐渐转向1xnm,先进制程是提高存储芯片成本优势的关键。随着东芯股份产品制程的持续升级,其产品市场竞争力也将逐渐增强。

另外,东芯股份也在积极研发存算一体化芯片、DTR NAND等前瞻性产品,旨在拓展公司产品系列由通用型芯片向特色性能产品延伸。未来高技术壁垒产品有望实现更高的单价定位,优化公司产品结构,改善盈利中枢,为长期发展确立竞争优势。

作为人才密集型行业,芯片领域的人才是非常宝贵的。集成电路的研发需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争

力的基础,也是公司推进技术持续创新升级的关键。

比如在NAND产品领域,正是建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队,才推进东芯股份工艺制程不断演进,从38纳米升级至24纳米,并着力研发19纳米。

为了留住人才,东芯股份2月15日晚间发布股权激励计划,向符合首次授予条件的77名激励对象授予170.04万股限制性股票,授予价格为21.13元/股。

(本文不构成任何投资建议,信息披露内容以公司公告为准。投资者据此操作,风险自担。)

A股存储芯片再迎“新锐势力”,东芯股份值得期待吗?

存储芯片是数据的载体,是电子系统的“粮仓”。在A股市场,存储企业设计公司也深受追捧,比如兆易创新这样国内存储芯片龙头,市值已超千亿。

近期,就有一家存储芯片“新锐势力”即将登陆A股。12月6日,东芯股份披露科创板上市发行结果,此次发行价格为30.18元/股,发行数量为1.1056亿股。值得一提的是,集成电路大基金二期、上汽集团获配329.70万股,获配金额为9950.25万元。

与兆易创新类似,东芯股份业务横跨三大主要存储芯片——NAND Flash、NOR Flash以及DRAM,同时两家公司均主攻中小容量存储芯片市场。兆易创新“珠玉在前”,又有大基金二期、上汽集团加持,东芯股份登陆科创板后的市场表现值得期待。

提供完整存储解决方案

近期,大量芯片公司登陆科创板,但大多集中在模拟芯片领域,而存储芯片领域上市公司少之又少。

存储芯片是应用面较广、市场比例较高的集成电路基础性产品之一,而国内如东芯股份这般提供完整存储解决方案的企业,则更为稀有。据悉,目前主流存储芯片主要为闪存与内存,闪存主要是NAND Flash、NOR Flash,内存便是DRAM。

NAND Flash可以分为SLC、MLC、TLC、QLC,其中中小容量主要使用SLC NAND,大容量SSD等产品主要使用MLC NAND、TLC NAND。东芯股份主攻中小容量市场,NAND Flash领域主要产品便是SLC NAND。其他两个存储芯片,也分别主攻中小容量NOR Flash以及利基型DRAM。

2021年1~6月,东芯股份NAND、NOR和DRAM产品营收分别为2.33亿元、8547.02万元和3127.35万元,营收占比分别为51.32%、18.80%和6.88%。东芯股份表示:“凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权,公司搭建了稳定可靠的供应链体系,设计研发的24nm NAND、48nm NOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,已达到可量产水平,实现了国内存储芯片的技术突破。”

而根据兆易创新2020年年报,其表示2021年公司NOR Flash产品将基于55nm工艺节点开展项目研发,丰富和完善公司的产品系列。同时,24nm将成为公司SLC NAND主要工艺节点之一。可以看出,不管是NOR Flash还是SLC NAND,东芯股份在工艺制程方面均不逊色于兆易创新。

目前,国内存储芯片市场需求巨大,但自给率仍然较低。根据世界半导体贸易统计协会数据,2018年我国存储芯片市场规模为5775亿元,同比增长34.18%,预计2023年国内存储芯片市场规模将达6492亿元,未来发展空间广阔。然而中国存储芯片的自给率仅15.70%,比整体集成电路的自给率更低,令中国存储芯片自主可控的需求更为迫切。

中小容量存储市场:巨头离场,增长迅速

从技术角度看,NAND Flash已经进入3D NAND时代,主流DRAM厂商制程已经来打1Znm。相比之下,东芯股份与国际龙头仍存在差距。

不过,东芯股份并非在PC、手机、服务器等主流存储市场与国际龙头竞争,而是主攻中小容量市场。近年来,三星、SK海力士、镁光等厂商陆续从中小容量存储市场离场,将产能转向DRAM、NAND Flash以及高毛利的大容量NOR Flash市场。

巨头离场留下的市场空间,也成就了兆易创新、华邦电子等二线存储厂商。对于东芯股份来说,同样存在着广阔的发展空间。特别是随着国产化需求的不断提高,国内企业将迎来良好的发展契机。

巨头的离场并不意味着中小容量市场是个“鸡肋”。与之相反,5G、物联网以及汽车电子已成为推动中小容量市场发展的重要驱动力量。比如5G通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点。5G宏基站为例,其部署环境复杂恶劣,且需要全天候工作,中小容量SLC NAND在性能稳定性上具有明显的优势。

而在火热的汽车电子赛道,中小容量NAND也将迎来大发展。这是因为在汽车系统中,从先进驾驶辅助系统到完全自动驾驶,复杂的汽车应用将更需要高容量的闪存,这对设计者而言,成本的考虑变得相对重要许多。相比之下,NAND Flash相比NOR Flash单位成本具有优势,能够为较大容量车规闪存提供良好的解决方案。

根据Gartner的数据显示,2019年全球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB,同比增长300%。由于智能汽车领域的快速发展,预计至2024年,全球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB,2019~2024年复合增速达79.8%。

下游客户方面,东芯股份NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域,获得了联发科、瑞芯微、中兴微、博通等行业内主流平台厂商的验证认可,被主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。使用公司产品的终端知名客户包括中兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等。

东芯股份表示:“公司NAND Flash产品核心技术优势明显,公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次,同时可在-40℃到105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年,产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。”

未来,东芯股份将进一步发展车规级闪存芯片。其表示:“在满足客户工业级应用需求的基础上,将产品可靠性标准逐步向车规级推进,以顺应汽车产业在智能网联功能的布局,大力发展可靠性要求更高的车规级存储芯片,实现车规级闪存产品的国产替代目标。”

利基型DRAM方面,目前市场也处于供不应求的境地。根据国金证券研报,由于数位电视、机上盒、Wi-Fi 5/6、安防、路由器、Modem、AIOT、白色家电、工业IPC对小容量DRAM内存的需求稳定增长,加上SK海力士将相关产能转移生产CMOS传感器,从而退出中低容量特殊利基型DRAM供应链等,DDR2 512Mb/1Gb、DDR3 1、2Gb DRAM等中低容量特殊利基型DRAM需求超过供给。

而东芯股份DRAM产品正是DDR3和LPDDR2,其专注于中小容量DRAM产品,主要应用于利基型市场,终端产品包括数字机顶盒、PON等通讯设备及功能手机、行车记录仪等移动终端等应用。

行业壁垒:技术+资本

可以看出,东芯股份主要供应中小容量存储,包括SLC NAND、NOR Flash以及利基型DRAM,而这些领域有较大市场潜力。

然而,存储芯片行业兼具资本密集型和技术密集型,技术和资本决定了一个公司的成败。目前,东芯股份拥有国内外发明专利82项,集成电路专业布图设计所有权34项,先后获得“第七届中国电子信息博览会创新奖”“2020年度中国IC设计成就奖之年度最佳存储器”“2019年度上海市‘专精特新’中小企业”等荣誉称号。

东芯股份表示:“自成立以来,公司高度重视研发投入与技术创新,致力于实现本土存储芯片的技术突破。公司研发团队通过多年在存储芯片设计领域积累的大量技术经验,基于自有知识产权和研发设计体系,自主开发了NAND、NOR、DRAM等主流存储芯片,凭借高可靠性、低功耗等特点,多款代表公司先进技术水平的核心产品通过国内外多家知名企业的认证。”

SLC NAND领域,2020年华邦电子、旺宏电子、兆易创新制程分别为32nm、19nm和24nm,东芯股份为24nm;NOR Flash方面,华邦电子、旺宏电子、兆易创新、普冉股份分别为58nm、55nm、55nm和40nm,东芯股份为48nm。

内存方面,华邦电子DDR制程为25nm,东芯股份旗下公司Fidelix同样是25nm;华邦电子LPDDR为25nm,东芯股份旗下Fidelix则为38nm。

中小容量市场在巨头离场后,二线厂商迎来发展机遇。供给端巨头离场,需求端又迎来物联网、5G和汽车电子发展红利。而唯有握住核心技术,方能把握供给端、需求端带来的机遇。对比中小容量存储领域竞争对手可以发现,东芯股份在制程方面基本不弱于同行。尤为可贵的是,东芯股份在SLC NAND、NOR Flash、利基型DDR、利基型LPDDR这四大类产品均有布局。叠加国产替代大潮,东芯股份四大产品后续或将持续高速增长。文/程翔

每日经济新闻

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