更小、更薄、更耐用，三星Exynos 2500芯片被曝使用硅电容

IT之家 7 月 17 日消息，韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文，

IT之家注：硅电容（Silicon Capacitor）通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 / 金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。

硅电容具有许多优点，让其成为集成电路中常用的元件之一：

首先，硅电容的制造成本较低，可以通过批量制造的方式大规模生产。

其次，硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单，易于加工和集成，硅电容的失效率较低。

此外，硅电容的尺寸小，占据空间少，适合集成电路的微型化和高密度集成。

报道指出三星电机（Samsung Electro-Mechanics）已开发出用于量产 Exynos 2500 芯片的测试设备，该芯片的前期量产工作已经就绪，即将开始量产。

三星计划在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+（有相关线索表明会被砍掉，目前无法确认）两款手机上使用 Exynos 2500 芯片。

IT之家此前报道，三星 Exynos 2500 最近取得了突破性进展，至少目前流片的工程样品已经达到了 3.20GHz 高频，同时比苹果 A15 Bionic 更省电，将成为“迄今为止效率最高的芯片”。

硅光芯片和传统电芯片有什么区别？

硅光芯片和传统电芯片(通常是基于硅的微电子芯片)的主要区别在于它们的信息传输和处理方式，以及它们的设计制造和应用领域。以下是两者之间的一些关键差异：

·信息载体：硅光芯片使用光子作为信息载体，通过光波导进行信号传输和处理。传统电芯片使用电子作为信息载体，通过金属互连进行信号传输。

·性能特点：硅光芯片高速率光子的传播速度远高于电子，因此硅光芯片可以支持更高的数据传输速率。

·低功耗：光子传输相较于电子传输通常消耗更少的能量，有助于降低整体功耗。

·大带宽：光波可以携带更多的信息提供更大的带宽。

·低延迟：光信号的传播延迟较低有助于提高处理速度。

·传统电芯片成熟技术：电子芯片技术更为成熟，拥有较高的良率和成本效益。

·集成度：电子芯片在集成度上通常更高，可以包含更多的电子元件。

·制造工艺：硅光芯片通常采用激光刻蚀技术和特殊的光刻工艺，集成光子器件如激光器、调制器、探测器等。传统电芯片使用成熟的半导体制造工艺，如CMOS(互补金属氧化物半导体)，通过光刻、沉积、蚀刻等步骤形成电路。

·应用领域：硅光芯片主要用于高速通信、数据中心、光计算、生物医学传感等领域。传统电芯片应用范围广泛，包括计算机、移动设备、家电、汽车、电子、工业控制等几乎所有电子设备。

·成本与国产化：硅光芯片成本较高且国产化率在高速率应用方面较低，尤其是对于25Gb/s及以上的速率。传统电芯片成本优势明显，国产化程度相对较高。

·发展趋势：硅光芯片随着技术进步，硅光芯片正朝着更高的集成度、更低的成本和更广泛的应用方向发展。传统电芯片继续追求更高的集成度和性能，同时探索新的材料和技术，如碳纳米管、石墨烯等。

总之硅光芯片和传统电芯片各有优势，适用于不同的应用场景，未来两者可能会互补发展。共同推动信息技术的进步。

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