更小、更薄、更耐用，三星Exynos 2500芯片被曝使用硅电容

IT之家 7 月 17 日消息，韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文，

IT之家注：硅电容（Silicon Capacitor）通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 / 金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。

硅电容具有许多优点，让其成为集成电路中常用的元件之一：

首先，硅电容的制造成本较低，可以通过批量制造的方式大规模生产。

其次，硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单，易于加工和集成，硅电容的失效率较低。

此外，硅电容的尺寸小，占据空间少，适合集成电路的微型化和高密度集成。

报道指出三星电机（Samsung Electro-Mechanics）已开发出用于量产 Exynos 2500 芯片的测试设备，该芯片的前期量产工作已经就绪，即将开始量产。

三星计划在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+（有相关线索表明会被砍掉，目前无法确认）两款手机上使用 Exynos 2500 芯片。

IT之家此前报道，三星 Exynos 2500 最近取得了突破性进展，至少目前流片的工程样品已经达到了 3.20GHz 高频，同时比苹果 A15 Bionic 更省电，将成为“迄今为止效率最高的芯片”。

三星Galaxy S25系列再曝，两款机型搭载Exynos芯片

随着时间来到2024年下半年，关于三星后续的S系列旗舰陆续出现了不少相关的爆料信息。近日，相关的爆料中就提到了这部分内容。

参考爆料中的说法来看，三星有望在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。

据悉，硅电容通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 / 金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。其具有制造成本较低、可靠性和长寿命较高等优势，且尺寸小，占据的空间也比较少。

与此同时， Exynos 2500 芯片的前期量产工作已经就绪，距离正式量产正在越来越近。而这颗全新的旗舰芯片有望在 Galaxy S25、Galaxy S25+两款手机中进行搭载。

不过，以往的消息曾提到过，基于IMEI 数据库显示的信息，三星有可能并不会带来 Galaxy S25 + 机型。

数据库信息显示，三星Galaxy S25系列的标准版和 Ultra 版本都已经现身了 IMEI 数据库，但 Galaxy S25+机型却并未出现。而通常情况下，三星S系列旗舰会一同现身数据库。

基于此部分推测认为，三星有可能会在明年的S系列迭代中取消Plus 机型。

就此来看，目前关于三星后续的Galaxy S25 系列手机机型阵容消息出现了多种说法，实际的新品情况如何还有待后续验证。

新机规格方面，相关爆料显示，新一代的三星 Galaxy S25 系列手机的整体设计和概念将保持不变，但其标准版本的屏幕尺寸可能会从现有 6.2 英寸增加到 6.36 英寸。

参考来看，目前在售的Galaxy S24屏幕尺寸为6.2英寸，Galaxy S24+屏幕尺寸为6.7英寸，三星Galaxy S24 Ultra屏幕尺寸为6.8英寸。

此外，除了标准版本和Plus版本机型外，三星的Galaxy S25 Ultra新机也在最近陆续出现了多份爆料。

据悉，消息人士ICE UNIVERSE近日的一份爆料中提到，全新的Galaxy S25 Ultra中框采用了前后不对称的设计，靠近后盖的中框更加圆润，靠近屏幕的部分更加平直。

这有利于带来更好的握持手感，同时也使得Galaxy S25 Ultra的手机中框被收窄，宽度基本与Galaxy S24一致，所以视觉边框会比Galaxy S24 Ultra窄一些。

就此来看，全新的Galaxy S25 Ultra应该会带来外观设计方面的新变化。

事实上，此前就曾有消息提到过，三星将为 Ultra 机型的握持手感进行改进。现在最新的爆料信息也与此前的消息可以互相印证。

参考来看，Galaxy S24 Ultra采用钛金属边框和6.8英寸平面显示屏，机身边框使用了钛金属作为防护罩。

而在今年上半年也曾有消息曝光过Galaxy S25 Ultra 的原型设计方案。

就图片来看，这四款原型设计都是硬朗成熟风格，且均采用了中置打孔方案，差别主要集中在边框和侧边处。

不过，现在距离新一代Galaxy S25系列的发布还有着相当长的一段时间，相关爆料内容大家参考即可。

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