更小、更薄、更耐用，三星Exynos 2500芯片被曝使用硅电容

IT之家 7 月 17 日消息，韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文，

IT之家注：硅电容（Silicon Capacitor）通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 / 金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。

硅电容具有许多优点，让其成为集成电路中常用的元件之一：

首先，硅电容的制造成本较低，可以通过批量制造的方式大规模生产。

其次，硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单，易于加工和集成，硅电容的失效率较低。

此外，硅电容的尺寸小，占据空间少，适合集成电路的微型化和高密度集成。

报道指出三星电机（Samsung Electro-Mechanics）已开发出用于量产 Exynos 2500 芯片的测试设备，该芯片的前期量产工作已经就绪，即将开始量产。

三星计划在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+（有相关线索表明会被砍掉，目前无法确认）两款手机上使用 Exynos 2500 芯片。

IT之家此前报道，三星 Exynos 2500 最近取得了突破性进展，至少目前流片的工程样品已经达到了 3.20GHz 高频，同时比苹果 A15 Bionic 更省电，将成为“迄今为止效率最高的芯片”。

三星第四代HBM3芯片已获得英伟达首次批准在其处理器中使用

三星的HBM3芯片目前仅将用于英伟达的H20。英伟达首次批准三星的第四代HBM3芯片在英伟达芯片中使用。三星尚未达到英伟达对第五代HBM3e芯片的标准。

本文源自金融界AI电报

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