都说它是顶级手机的专利 UFS闪存到底是个什么鬼?
随着麒麟970、骁龙845和三星Exynos 9810等新一代旗舰处理器的出现,2018年高端智能手机有望迎来准5G的网络体验(下行速率可达1.2Gbps,但还需运营商基站支持)。等到了2020年,5G网络还将带来更极致的10Gbps到20Gbps的联网速度,秒下高清视频不是梦想。然而,网络性能的飞跃也将给手机硬件带来极大的压力,而闪存芯片,就是最大的受力点。
手机网络的不断提速
如今哪怕是千元智能手机的下行速率都达到了Cat.7,也就是300Mbps的标准,而中高端手机则已享受Cat.12(600Mbps)或Cat.16/18(1.0Gbps/1.2Gbps)的速度。要知道,很多地区的家庭宽带也不过20Mbps到100Mbps之间,在不考虑运营商基站限速的情况下,智能手机的下载速度已经远远超过了有线网络。
未来5G的下行峰值速度可达20Gbps
以即将兴起的Cat.18为例,其1.2Gbps的下行速率理论的下载速度为150MB/s。而到了2019年5G网络商业化试运营时,10Gbps起步下行速率对应的下载速度就将达到1.25GB/s。如果将这个速度放在PC端,那就唯有支持NVMe协议的PCIe SSD才不会成为速度上的拖累(主要看SSD的写入性能),而无论是HDD机械硬盘还是SATA3.0接口的SSD都将成为“拖油瓶”。
在PC都感觉“亚历山大”的当下,智能手机又该如何应对更高速网络的挑战呢?
读写性能的重要性
不成为下载瓶颈只是对闪存提出的基础要求,而闪存性能在实际操作中的影响还表现在更多方面。比如安装超过GB大小的APP、录制生成4K视频、拍照连拍、相册中大量图片的预览图刷新,在这些应用环境下,只有更高速的闪存才能告别卡顿和延迟,缩短APP的安装和启动时间。
从eMMC到UFS的进化
好消息是,如今智能手机的存储性能已经足够应对Cat.18网络的挑战了,哪怕是低端手机采用的eMMC 5.1,也可提供100MB/s以上的持续写入速度,而UFS闪存的高端手机哪怕是4K写入速度也都能超过150MB/s。但是,面对未来5G网络的来袭,现有的闪存技术就都将抓瞎了。
我们不妨再来回顾一下智能手机常用的闪存技术标准:
eMMC:Embedded Multi Media Card,它是在NAND闪存芯片的基础上,额外集成了主控制器,并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片,从而减少了对PCB主板的空间占用,也是移动设备中普及度最高的存储单元。eMMC的性能会随着总线接口的升级而提升,而目前最新的标准就是eMMC 5.1。
还有很多手机会选择将CPU和闪存芯片堆叠封装
UFS:Univeral Flash Storage,我们可以将它视为eMMC的进阶版,是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行(读写必须分开执行)的缺陷,可以实现全双工运行,所以性能得以翻番。
目前UFS又被细分为UFS 2.0和UFS 2.1,它们在读写速度上的强制标准都为HS-G2(High speed GEAR2),可选HS-G3标准。而两套标准又都能运行在1Lane(单通道)或2Lane(双通道)模式上,一款手机能取得多少读写速度,就取决于UFS闪存标准和通道数,以及处理器对UFS闪存的总线接口支持情况。
比如,采用UFS 2.1闪存的手机大都可以获得800MB/s的持续读取性能。但是,魅族PRO 7官方表示配备了UFS 2.1闪存,但实际测试的持续读取速度却只有500MB/s左右。这并非魅族虚标,而是PRO 7搭载的联发科Helio X30处理器仅支持单通道UFS总线接口,所以无法100%发挥出UFS 2.1闪存的性能。
需要注意的是,虽然UFS 2.1相较eMMC 5.1在持续读取速度上实现了2.5倍左右的提升,但持续写入速度却没有太大变化(200MB/s左右)。但是,如果我们仔细留意4K写入速度一项,就会发现UFS 2.1的实测速度能领先eMMC 5.1十倍有余,这对于下载提速可有着更加实际的意义。
苹果主打的NVMe闪存
苹果从iPhone 6s开始也引入了超高速闪存,但它却不是我们熟悉的UFS,而是一种名为“NVMe”的闪存芯片。实际上,NVMe和UFS的本质都是NAND,只是协议层面有所差别而已,NVMe协议比UFS协议更高效,所以在绝大多数测试项目中,采用NVMe协议的iPhone总能在读写速度上领先于同期Android手机的UFS。
UFS 3.0为5G保驾护航
问题来了,面对5G网络起步1.25GB/s级别的下载速度,哪怕是UFS 2.1也有些力不从心。怎么办?
好消息是,固态技术协会(JEDEC)在前不久正式发布了UFS 3.0标准(JESD220D、JESD223D),和UFS存储卡V1.1标准(JESD220-2A)。其中,UFS 3.0就刚好可以成为与5G网络搭档的存储技术。
简单来说,UFS 3.0引入了HS-G4规范,单通道带宽提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。而由于UFS支持双通道双向读写,所以UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps,也就是2.9GB/s。此外,UFS 3.0支持的分区增多(UFS 2.1是8个),纠错性能提升且支持最新的NAND Flash闪存介质。
三星已经宣布,将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于麒麟970、骁龙845、Exynos 9810等研发较早,所以并没有赶上UFS 3.0标准的支持,但下半年的麒麟980,将在2019年发布的骁龙85x、Exynos 99xx应该可以对其加以支持,从而满足5G时代的更高速读写需求。
如何辨别手机存储芯片
在过去,只有旗舰级处理器才支持UFS闪存,而如今包括骁龙660和Helio P30在内的新一代中端处理器也支持UFS闪存。虽然现阶段搭载骁龙660/Helio P30芯片的手机为了降低成本选用的都是eMMC 5.1,但不排除未来会有中端机也通过武装UFS闪存提升竞争力。所以,咱们还是有必要学习一下如何辨别手机配备闪存的技术标准。
在网上搜索下载名为“P10Check”的应用,安装运行后就能自动反馈出手机的闪存标准到底是eMMC还是UFS,可惜该软件无法进一步细分UFS的版本(如UFS2.0还是UFS2.1)。
如果你想知道手机闪存的具体性能,则可下载安装名为AndroBench的测试软件,如果测试结果的持续读取速度在700MB/s以上,那就说明手机闪存版本为双通道的UFS2.1,代表当前的顶级存储性能。如果速度在500MB/s左右,那就是运行在双通道模式UFS2.0或单通道下的UFS2.1。
小提示: 受制于闪存芯片可能面临缺货/涨价的风险,部分手机厂商可能会为热销手机准备多家供应商的闪存芯片。比如前几个批次手机的闪存来自三星,后续改为东芝,最后批次为闪迪。不同供应商的闪存芯片在性能上可能存在细微差距,关于这一点大家需要做到心里有数。
铠侠出样最新一代UFS 40闪存芯片:连读写入速率提升15%
IT之家 4 月 23 日消息,铠侠今日宣布出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片,提供 256GB、512GB、1TB 容量可选,专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。
256GB:THGJFMT1E45BATV,封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm
512GB:THGJFMT2E46BATV,封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm
1TB:THGJFMT3E86BATZ,封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.9mm
最新一代铠侠 UFS 4.0 闪存搭载 BiCS Flash 3D 闪存与 UFS 主控,使用 JEDEC 标准 9mm x 13mm 封装,比前代产品的 11mm x 13mm 封装小 18%。
性能方面,新一代 UFS 4.0 闪存连续写入速度提升 15%、随机写入速度提升 50%、随机读取速度提升 30%,最高读取速率维持双通道 UFS 4.0 上限 4640MB/s 不变。(IT之家注:测试对比的前代产品为 512GB 容量的 THGJFLT2E46BATP)
铠侠称 256GB 与 512GB 容量的产品本月开始出样,1TB 版今年 6 月出样,样品的技术规格可能与最终出货产品有所不同。
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