合肥康芯威存储技术申请一种存储芯片的数据存储方法及数据存储系统专利，提高存储芯片的存储功能

金融界2024年9月11日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥康芯威存储技术有限公司申请一项名为“一种存储芯片的数据存储方法及数据存储系统“，公开号CN202411110510.4，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种存储芯片的数据存储方法及数据存储系统，属于存储技术领域。所述数据存储方法包括以下步骤：当向存储芯片中写入数据时，判断写入数据的容量是否小于预设容量；当所述写入数据的容量小于预设容量时，将所述存储单元设置为单存储模式，在每个所述存储单元中存储一个数据单位的所述写入数据，且所述写入数据的读取电压大于所述存储单元的中间闪存阈值电压宽度的最小值；以及当所述写入数据的容量大于或等于预设容量时，将所述存储单元设置为多存储模式，保留所述存储单元为单存储模式时存储的所述写入数据，并在所述存储单元中再存储所述写入数据。

本文源自金融界

存储芯片风云：涨价与国产崛起，HBM领衔

【AI 热潮下存储芯片价值攀升，各类产品盈利情况引关注 】在 AI 风靡的当下，数据规模爆发式增长，存储芯片作为数据关键承载者价值上扬。存储芯片产品品类众多，其盈利状况成为业界焦点，为此需先对产品品类细分。 存储芯片按功能、读取数据方式及数据存储原理，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 断电后数据丢失，用于临时存储，代表产品有 DRAM 和 SRAM。ROM 断电仍能长期存数据，适用于存储程序代码和用户数据，代表产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。从全球看，存储芯片市场以 DRAM 和 NAND Flash 为核心，二者市场份额超 90%，NOR Flash 占比约 3%，其他类型约 2%。 DRAM 即动态随机存取存储器，是常见系统内存，需定时刷新。按产品分类，DRAM 主要有 DDR、LPDDR、GDDR 及新型存储 HBM。DDR 适用于高性能计算设备，LPDDR 适合移动设备，GDDR 专为数据密集型应用设计，HBM 在带宽、功耗等方面优势明显。从市场看，DRAM 分主流和利基型，主流玩家为三星、美光和海力士，中国大陆头部公司有进展，利基型玩家分散。 Flash 主要分 NOR Flash 和 NAND Flash。NAND Flash 是非挥发性存储技术，优势众多，按技术类型分有 SLC、MLC、TLC 和 QLC，按产品应用分，NAND Flash 颗粒用于固态硬盘等。全球 NAND Flash 厂商集中，竞争格局稳定。NOR Flash 有自身特点，虽有缺点但难以淘汰，应用领域广泛，竞争格局相对集中。 DRAM 产品中，DDR4、DDR5 涨势明显，HBM 最为迅猛。2024 年 Q1DRAM 产业主流产品合约价上扬，带动营收增长，Q2 延续增长。DDR 不同系列今年上半年涨价，DDR3 因供给减少和需求增加涨价，华邦计划跟进。DDR4 和 DDR5 是涨价主力，LPDDR 和 GDDR 受影响价格上涨。 NAND Flash 产品中，SSD 连续四季度涨价。2024 年 Q1NAND Flash 量价齐扬，产业进入上行周期，合约价上涨。SSD 涨价明显，企业级 SSD 二季度涨幅高，消费级 SSD 也涨价，eMMC/UFS 预计涨价较温和。Nor Flash 产品上半年试探性涨价，中容量涨幅大。 DRAM、NANDFlash 和 NOR Flash 盈利能力受多种因素影响，今年上半年 HBM 盈利能力最强，因其需求增长和供应有限，价格上涨，存储三巨头供应紧张。DDR5 也有优势，性能功耗优，市场需求增长，产品升级且价格上涨。 国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要为 DRAM 和 NAND Flash，今年在需求推动下，行业景气度攀升。上半年，A股 存储芯片赛道上市公司业绩整体高增长，多家公司表现出色。随着新兴技术发展，存储芯片需求持续增长，高性能产品有发展空间，国产公司面临机遇挑战。

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