智融推出22款iPhone14系列专用快充芯片

前言

从2020年推出的 iPhone 12 系列到最新发布的 iPhone 14 系列，苹果一直在践行其环保理念，取消了随机附赠的充电器。这一举措引发了诸多手机厂商的效仿，对快充行业产生了深远影响。

好在 iPhone 14 系列的 USB PD 快充并未缺席，充电头网不久前对 iPhone 14 Pro Max 的 USB PD 快充速度进行了测试，发现其峰值功率依旧保持在 27W 左右。消费者只需购买 30W 的 USB PD 充电器，能为手机提供最快的充电速度，满足短时间快速补电需求。

针对规模快速增长的 USB PD 快充市场，智融科技推出了多款支持 iPhone 14 系列 USB PD 的快充协议芯片产品，覆盖单口和多口快充应用，满足市场多样化需求。

充电器领域

智融科技面向充电器领域推出了5款支持 iPhone 14 系列 USB PD 的快充协议芯片产品，支持多种反馈形式，满足单 USB-C 口快充设计需求。

SW2303

智融 SW2303 采用 QFN-16 4*4mm 封装，是智融开发的一款高集成度 USB Type-C/Type-A 接口快充协议芯片，其支持 PD、QC、FCP、高低压 SCP、AFC、SFCP 以及 PE 等主流快充协议，支持光耦反馈和FB反馈两种工作模式，支持 4KV ESD HBM。

智融 SW2303 集成了 CV/CC 控制环路，Type-C 接口逻辑，快充协议控制器，以及多种安全保护功能。配合 AC-DC 或 DC-DC 以及少量的外围元器件，即可组成完整的高性能的 Type-C/Type-A 口快速充电解决方案。

智融 SW2303 支持 3~25V 宽输入电压范围，支持全面的快充协议，内置完善的保护功能。Type-C 接口支持 Vconn 和 Emarker 功能，CC 和 DPDM 引脚耐压高于 25V。

智融 SW2303 支持软启动，输出过压保护，输出欠压保护，输入低电保护，输出过流保护，芯片过温保护和 NTC 过热保护。智融 SW2303 支持 NMOS/PMOS 功率开关，内部集成放电功能，支持 I2C 接口，功率和电压档位可灵活配置，并且支持动态功率分配。

SW2305

智融 SW2305 是一款高集成度的 Type-C/Type-A 口快充协议芯片，支持 PD、QC、FCP、高低压 SCP、 AFC、SFCP、VOOC 以及 PE 等主流快充协议，支持光耦反馈和 FB 反馈两种工作模式。

智融 SW2305 采用 QFN-16(4x4mm) 封装，集成 VBUS 和 VIN 快速放电，支持线路阻抗补偿，支持 NMOS/PMOS 通路管，集成内部 Discharge，支持 I2C 接口，支持功率和电压档位灵活配置，支持动态功率分配。

智融 SW2305 集成了 CV/CC 控制环路，Type-C 接口逻辑，快充协议控制器，以及多种安全保护功能。配合 ACDC 或 DCDC 以及少量的外围元器件，即可组成完整的高性能的 Type-C/Type-A 口快速充电解决方案。

SW2325

智融 SW2325 是一款兼容性非常强大的快充协议控制器，内置 40MHz 主频的 ARM M0 内核，内置车规级 64K eFlash+4K RAM。支持 3-30V 超宽输入电压范围。支持光耦反馈，FB 反馈和 I2C 反馈三种调压方式，并支持 I2C/UART 通用外设接口，支持二次开发。

智融 SW2325 集成了 Type-C 接口逻辑，USB PD PHY，VOOC/SCP PHY 以及 QC/PE/SFCP/TCN 等快充协议的检测电路，并集成光耦反馈和 FB 反馈驱动电路、NMOS 和 PMOS 驱动电路以及 CV/CC 控制环路。

智融 SW2325 支持多重保护功能，支持在线升级，支持多层嵌套加密算法，支持动态功率分配和固件加密，功能强大且全面。配合 ACDC 或 DCDC 以及少量的外围元器件，即可组成完整的高性能的 Type-C/Type-A 口快速充电解决方案。

SW2327

智融 SW2327 是一款高集成度高性能的 USB-C/USB-A 口协议芯片，支持 3~30V 输入电压范围，内置 ARM Cortex- M0 内核，最高工作频率为 40MHz。内置支持 10K 次烧录的 64KB 车规级 eFlash+4KB 内存。

智融 SW2327 支持支持光耦反馈，I2C 反馈，和 FB 引脚反馈，支持充电器，移动电源和车充应用。芯片内置完善丰富的保护功能，可最大程度保证系统安全不被损坏。SW2327 可通过三个引脚配置芯片的最大输出功率和降低的输出功率，简化多口充电器功率分配设计。

车充/DCDC领域

智融科技面向车充/DCDC领域推出了16款支持 iPhone 14 系列 USB PD 的快充协议芯片产品，满足单C口、双C口、1A1C口快充设计需求。

SW3516S

智融 SW3516S 是一款高集成度的支持 PD 协议的 Type-C 口充电芯片，通过 PD3.0 认证，TID号:1583。芯片支持 6~36V 电压输入，支持线损补偿，支持温度控制。

智融 SW3516S 采用 QFN-28(4x4mm) 封装，集成了高效率同步降压变换器，CC/CV 模式，USB PD 以及 Type-C 协议控制器，内置快充指示灯驱动，适用于车充、适配器、插排等应用场景。

智融 SW3516S 支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能 PD 协议的 Type-C 口充电解决方案。

SW3516H

智融 SW3516H 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持A+C口任意口快充输出，支持双口独立限流。芯片支持 6~36V 电压输入，支持线损补偿，支持温度控制，内置快充指示灯驱动。

智融 SW3516H 集成了5A 高效率同步降压变换器。支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP等多种快充协议，最大输出PD 100W，CC/CV模式，以及双口管理逻辑。适用于车充、适配器、插排等应用场景。

智融 SW3516H 采用 QFN-28(4x4mm) 封装，支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护等多重保护措施。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

SW3516P

智融 SW3516P 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持A+C口任意口快充输出，支持双口独立限流。芯片支持 6~36V 电压输入，支持线损补偿，支持温度控制，内置快充指示灯驱动。

智融 SW3516P 集成了5A 高效率同步降压变换器。支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP等多种快充协议，最大输出PD 100W，CC/CV模式，以及双口管理逻辑。适用于车充、适配器、插排等应用场景。

智融 SW3516P 采用 QFN-28(4x4mm) 封装，支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护等多重保护措施。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

SW3517S

智融 SW3517S 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持 A+C 口任意口快充输出，支持双口独立限流。芯片输入电压范围 6~36V，支持线损补偿，支持温度控制，内置快充指示灯驱动。

智融 SW3517S 集成了 5A 高效率同步降压变换器，支持 PPS/ PD/ QC/ AFC/ FCP/ SCP/ PE/ SFCP 等多种快充协议，CC/CV 模式，以及双口管理逻辑。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

智融 SW3517S 采用 QFN-39(5x5mm) 封装，支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护等多重保护措施，适用于车充、适配器、插排等应用场景。

SW3518S

智融 SW3518S 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持 A+C 口任意口快充输出，支持双口独立限流。芯片输入电压范围 6~36V，支持线损补偿，支持温度控制，内置快充指示灯驱动，适用于车充、适配器、插排等应用场景。

智融 SW3518S 集成了 5A 高效率同步降压变换器，支持 PPS/ PD/ QC/ AFC/ FCP/ SCP/ PE/ SFCP/ VOOC 等多种快充协议，最大输出 PD 100W（20V@5A），CC/CV 模式，以及双口管理逻辑。

智融 SW3518S 采用 QFN-39(5x5mm) 封装，支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护等多重保护措施。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

SW3519S

智融 SW3519S 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持 A+C 口任意口快充输出，支持双口独立限流。芯片输入电压范围 6~36V，支持线损补偿，支持温度控制，内置快充指示灯驱动。

智融 SW3519S 集成了 5A 高效率同步降压变换器，支持 PPS/ PD/ QC/ AFC/ FCP/ SCP/ PE/ SFCP/VOOC 等多种快充协议，CC/CV 模式，以及双口管理逻辑。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

智融 SW3519S 采用 QFN-39(5x5mm) 封装，支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护等多重保护措施，适用于车充、适配器、插排等应用场景。

SW3522

智融 SW3522 是一款高集成度的多快充协议充电芯片，其集成了 3.5A 高效率同步降压变换器，支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SFCP 等多种快充协议以及 CC/CV 模式。

智融 SW3522 采用 ESOP8 封装，输入电压范围 6~35V，支持线损补偿。外围仅需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议充电解决方案。

智融 SW3522 支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护等多重保护措施，适用于车充、适配器、插排等应用场景。

SW3526

智融 SW3526 是一款内置协议功能的高集成同步降压转换器，支持C口或A口输出，输入电压范围 6~35V，支持线损补偿，内置快充指示灯驱动。

智融 SW3526 内部集成 3.5A 高效率同步整流降压转换器，支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP、低压直充等充电协议，支持 CC/CV 模式。适用于车充、适配器、插排等应用场景。

智融 SW3526 采用 QFN-24（4x4mm）封装，支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护、线损补偿。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议充电解决方案。

SW3528

智融 SW3528 是一款高集成度的多快充协议充电芯片，支持 C 口或 A 口输出，其集成了 3.5A 高效率同步降压变换器，支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/VOOC 等多种快充协议以及 CC/CV 模式。

智融 SW3528 采用 QFN-24（4x4mm）封装，输入电压范围 6~35V，支持软启动、输入过压保护、输入欠压保护、输出过流保护、输出短路保护、过温保护、线损补偿。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议充电解决方案。

SW3536

智融 SW3536 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持 USB-A+USB-C 双口快充输出，支持双口独立限流。内部集成了 7A 高效率同步降压变换器，支持PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/TFCP 等多种快充协议，最大支持140W输出功率。

智融 SW3536 集成 CC/CV 模式，双口管理逻辑以及双芯片动态功率分配，外围元件精简，是一颗完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。SW3536 支持 36V 输入电压，满足 12-24V 输入车充场景，适用于快充适配器，插排以及车充应用。

智融 SW3536 采用 QFN-28(4x4mm) 封装，支持通过外部电阻设置输出功率，支持软启动、输入过压/欠压保护、输出过压/欠压保护、输出过流/短路保护、DP/DM/CC 过压/弱短路保护、芯片过温/NTC 过温保护。

SW3538

智融 SW3538 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持A+C 口任意口快充输出，支持双口独立限流，支持温度控制，支持线损补偿。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

智融 SW3538 集成了 7A 高效率同步降压变换器，支持 PPS/ PD/ QC/ AFC/ FCP/ SCP/ PE/ SFCP/ TFCP/ VOOC 等多种快充协议，最大支持 140W 输出功率，集成 CC/CV 模式、双口管理逻辑以及双芯片动态功率分配。

SW3556

智融 SW3556 支持双 USB-C 接口降压控制，内部集成多种快充协议，支持 7A 大电流输出，并支持双口功率盲插和独立限流。SW3556 支持驱动低压氮化镓开关管，可进一步提升降压电路效率，减小充电器的体积与散热要求。

智融 SW3556 为同步整流降压拓扑，支持40V输入，内置同步整流降压控制器，搭配使用硅 MOS 或氮化镓开关管、电感电容等简单的外围器件，即可实现 140W 大功率输出。内置的降压控制器开关频率为 125KHz，支持 PFM/PWM 模式运行以优化转换效率。

智融 SW3556 支持引脚外接电阻来配置输出功率以及动态功率分配，在开发多口快充电源产品时无需外置单片机，以此实现更精简的外围并降低成本。适用于车载充电器、多口充电器、插排等产品领域。

充电头网总结

快充协议芯片作为智融科技最为擅长的领域，智融科技正是凭借着自身的技术优势，布局了多款快充协议芯片，形成了完整的 USB PD 快充方案矩阵。这也使智融科技能够在氮化镓快充大规模普及之际，抓住机遇，借势爆发，成为了 USB PD 快充市场中的爆品。

在消费电源市场中，智融除了 USB PD 快充芯片之外，还拥有移动电源芯片、升降压芯片、协议芯片、无线充电芯片等产品。同时智融也在不断开发新品，完善产品线，为电源市场的发展注入新鲜血液。

MT41K128M16JT-107 ITK内存芯片MT41K128M16JT-125 AITK

MT41K128M16JT-107 IT:K内存芯片MT41K128M16JT-125 AIT:K

美光下一代3D NAND技术将略过48层，直接跳到64层，Q2开始量产，预计Q3中旬开始出货，除了以消费类市场移动存储、SSD应用为主，还将扩展到企业级领域，有望缓解市场缺货的市况。据悉，美光2016年底已有32GB（TLC B16A）容量64层3D NAND样品，从2017年Q2季度起逐步提高产量，同时增加42GB（MLC L1HA）和64GB（TLC B17A）容量，年底实现量产，到2018年初有望将容量提高到128GB，同时还会积极推动3D Xpoint技术在数据中心领域带来的营收价值。

因为3D NAND堆叠技术的优势，以及3D NAND TLC产出增加，使得单位Bit成本减少，美光称第一代32层3D NAND要较16nm 2D NAND成本至少减少25%，第二代64层3D NAND比32层成本至少减30%，这也是美光急于向3D切换和更高堆叠层发展的重要原因之一。随着美光3D NAND产出的增加，16nm 2D NAND产量会逐步减少，而且2D NAND制程也将终结于16nm，直接放弃2D NAND技术研发的计划。

美光NAND Flash生产基地主要分布在美国和新加坡，3D NAND主要在新加坡工厂量产，新建的Fab 10X将在2017年扩大投产规模。

1、美国爱达荷州FAB1C工厂 - NAND研发中心所在地。

2、新加坡Fab 10X - 是3D NAND专用工厂，计划在2017年量产64层3D NAND，整体产能大约10-12万片/月。

3、新加坡Fab10N - 是目前3D NAND主力出货工厂， 2016年初逐步增加32层3D NAND，2017年逐步转向64层3D NAND制造，整体产能大约13万片/月。

4、新加坡Fab 7 - 用于生产2D NAND

5、犹他IMFT Fab2 - 生产2D NAND和3D xPoint，整体产能大约7万片/月。

6、维吉尼亚MTV - 生产2D NAND，整体产能大约4万片/月。

7、大连Fab68 - 英特尔独自投资55亿美元升级设备，2016年Q3开始试产32层3D NAND，2017年预计转至64层量产。

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