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jc芯片 技经观察丨芯片3D封装——延续摩尔定律的重要技术方向之一
发布时间 : 2024-12-26
作者 : 小编
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技经观察丨芯片3D封装——延续摩尔定律的重要技术方向之一

芯片3D封装技术,又称为叠层芯片封装技术,是指在不改动封装体尺寸的前提下,在一个封装体内的垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术。近年来,支撑3D封装的关键技术硅通孔(Through Silicon Via,TSV)不断获得突破,国际芯片巨头加快布局,以TSV为核心的3D封装技术已成为业界公认的新一代封装技术的重要发展方向。在后摩尔时代,如何结合我国芯片封装产业优势,发力3D封装关键共性技术,以抢占机遇实现逆势突围,是十分值得探究的问题。

一、芯片发展迈入后摩尔时代

长期以来,芯片制程微缩技术一直驱动着摩尔定律的延续。从1987年的1um制程到2015年的14nm制程,芯片制程迭代速度一直遵循摩尔定律的规律,即芯片上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍。但2015年以后,芯片制程的发展速度进入了瓶颈期,7nm、5nm制程的芯片量产进度均落后于预期。全球领先的晶圆代工厂台积电3nm制程芯片量产遇阻,2nm制程芯片的量产更是排到了2024年后,芯片制程工艺已接近物理尺寸的极限1nm,芯片产业迈入了后摩尔时代。

在后摩尔时代,芯片的发展逐渐演化出了不同的技术方向。其中之一的“More Moore”方向,主要是研发新方法沿着摩尔定律的道路继续向前推进,不断缩小芯片制程。而另一个方向则是“More than Moore”(超越摩尔),主要是发展之前摩尔定律演进过程中未开拓的技术方向。先进封装便是超越摩尔技术方向的一种重要实现路径。

来源:ARM

二、封装技术概况

芯片封装是芯片成品至关重要的一步,在过去,封装定义为保护电路芯片免受周围环境的影响,包括来自物理、化学方面的影响。随着芯片技术的不断发展,封装技术在提高芯片性能方面也开始扮演了重要的角色。

据《中国半导体封装业的发展》报告,迄今为止全球芯片封装产业可分为五个发展阶段,自第三阶段起的封装技术统称为先进封装技术。第一阶段 是20世纪70年代的元件插装,特点是用针脚引出电极连通电信号,主要包括直插型封装(DIP)等技术。第二阶段 是20世纪80年代的表面贴装,特点是用更细更短板的引线代替针脚,直接贴装至印刷电路板(PCB),主要包括小外形封装(SOP)等技术。第三阶段 是20世纪90年代的面积阵列封装,特点是用体积更小的焊球点代替引线,通过芯片倒扣的方式进行倒装以提升晶体管密度,主要包括球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、晶圆级封装(WLP)等技术。第四阶段 是20世纪末的异质整合,特点是将不同类型、功能的芯片整合在同一个封装体内,主要包括多芯片组封装(MCM)、系统级封装(SiP)等技术。第五阶段 是21世纪初的3D堆叠,特点是将多个芯片在垂直方向上进行封装,主要包括倒装芯片(Flip Chip)、硅通孔(TSV)等技术。

随着芯片产业的迅速发展,芯片间数据交换也在成倍增长,传统的芯片封装方式已经不能满足巨大的数据量处理需求。另外,随着“More Moore”技术路线逐步进入物理极限,制程工艺提升放缓,以3D堆叠封装为代表的先进封装技术将成为未来的重要发展方向。例如,苹果公司在2022年春季推出的M1 Ultra芯片就是通过UltraFusion 3D封装架构将两个M1 Max芯片互联,打造出一款M1系列史上性能最强的SoC芯片。近年来,支撑3D封装的关键技术TSV不断获得突破,国际芯片巨头加快布局,以TSV为核心的3D封装技术已成为业界公认的新一代封装技术的重要发展方向。

三、3D封装技术发展现状

芯片3D封装,又称为叠层芯片封装技术,是指在不改动封装体尺寸的前提下,在一个封装体内的垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术。近二十年来,3D封装沿着封装堆叠及IC裸芯片焊接(键合)技术方向经历了三个重要的技术工艺阶段:丝焊技术工艺、倒装芯片技术工艺和通孔技术工艺,其中通孔技术工艺中的TSV技术被称为第四代封装技术。

TSV技术可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联,这项技术是目前唯一的垂直电互联技术,是实现3D先进封装的关键技术之一。TSV采用金属-金属键合和高分子粘结键合技术,通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充进行硅通孔的垂直电互连,从而实现晶圆堆叠、芯片堆叠。TSV技术通过垂直互连减小了芯片间互联长度和信号延迟,降低了电容,实现了芯片间的低功耗和高速通讯,大幅提升了提升芯片性能,是解决摩尔定律失效的重要技术之一。全球政府机构和科技巨头已加大对3D封装技术的重视力度,并进行早期布局。

美国DARPA的NGMM项目。 2022年8月,美国国防部高级研究计划局(DARPA)宣布设立“下一代微电子制造”(NGMM)研究项目。该项目旨在创建一个三维异构集成(3DHI)设计与工艺研究公共平台,其中TSV技术是其重要的研究方向。DARPA表示,微电子制造的下一个主要浪潮将需要不同材料和组件的异构集成,不同来源、不同功能乃至不同材料的器件堆叠封装,将有可能实现功能与性能的革命性改进。

来源:DARPA

台积电3D Fabric联盟。 2022年10月,台积电宣布成立3D Fabric联盟,以推动3D半导体发展,目前已有19个合作伙伴同意加入,包括美光、三星、SK海力士等,这是台积电在开放创新平台(OIP)中首次邀请芯片封装厂商作为伙伴加入。台积电表示,3D Fabric联盟将协助客户实现芯片系统级创新的快速迭代,并采用台积电完整的3D硅堆叠先进封装等技术来满足下一代芯片的性能需求。

来源:TSMC

三星X-Cube 3D封装技术。 2020年8月,三星公布了其名为“eXtended-Cube”的3D封装技术,简称“X-Cube”。该技术采用TSV进行芯片间垂直互联,能大幅缩短裸芯片间的信号距离,提高数据传输速度和降低功耗。2022年10月,三星电子代工业务总裁Si-young Choi在三星晶圆代工论坛上表示,三星采用微凸块连接的X-Cube 3D封装技术将在2024年做好大规模量产的准备,无凸块的X-Cube封装技术将在2026年问世。

来源:Samsung

四、3D封装技术的挑战和前景

在后摩尔时代,随着芯片制程工艺逐渐逼近物理尺寸极限,3D封装技术正成为提升芯片集成度和性能的重要技术路线,这将推动半导体价值链向后道工艺移动。同时,3D封装技术对于芯片架构具有革命性的影响,这种影响将会传递到整个芯片产业链,并引起产业链中前道工艺和后道工艺协作机制的变化。比如,在3D封装技术路线的影响下,芯片设计将不再是单芯片设计问题,而是将逐渐演变成更为复杂的多芯片系统设计工程,还会对电子设计自动化(EDA)算法引擎提出更高的要求。

目前,我国芯片产业发展迅速,封装技术发展接近国际先进水平,但芯片产业发展主导能力有待加强。未来,我国应在先进封装领域强化政府引导作用,构建以关键共性技术为突破点的支持政策体系,实现逆势突围,提高芯片产业的竞争力。

参考资料:

[1]国务院关于印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》的通知[EB/OL]. http://www.gov.cn/zhengce/content/2020-08/04/content_5532370.htm

[2]王若达, 先进封装推动半导体产业新发展[C]. 中国集成电路, 2022.

[3]John H. Lau, Recent Advances and Trends in Advanced Packaging[C]. IEEE Xplore, 2022.

[4]半导体封测专题报告[R]. 东莞证券

[5]3D-STACKED CMOS TAKES MOORE’S LAW TO NEW HEIGHTS[EB/OL]. https://spectrum.ieee.org/3d-cmos

[6]HOW THE FATHER OF FINFETS HELPED SAVE MOORE’S LAW[EB/OL]. https://spectrum.ieee.org/how-the-father-of-finfets-helped-save-moores-law

[7]Intel Proposes New Path for Moore's Law With 3D Stacked Transistors[EB/OL]. https://www.electronicdesign.com/technologies/embedded-revolution/article/21183706/electronic-design-intel-proposes-new-path-for-moores-law-with-3d-stacked-transistors

[8]As Moore's Law slows, high-end applications may feel the effect, MIT scientist warns[EB/OL]. https://www.zdnet.com/article/as-moores-law-slows-high-end-applications-may-feel-the-effect-mit-scientist-warns/

[9]A view on the 3D technology landscape[EB/OL]. https://www.imec-int.com/en/articles/view-3d-technology-landscape

[10]攻下先进封测成为我国半导体发展的重中之重[EB/OL]. https://www.elecfans.com/d/821693.html

[11]萨科微,3D封装将成为主要工艺!芯片巨头决战先进封装![EB/OL]. https://www.slkormicro.com/other-else-63359/53725.html

[12]滕冉, “十四五”期间我国集成电路行业发展趋势特征分析[C]. 中国集成电路. 2021.

[13]我国封装技术有望逐渐进入国际主流领域[J]. 中国电子报

[14]3D TSVs are essential for Heterogeneous Integration,HPC and High-end Memory[EB/OL]. https://www.3dincites.com/2016/10/3d-tsv-technologies-are-essential-for-the-development-of-heterogeneous-interconnection-high-end-memory-and-performance-applications/

[15]王晓明. 后摩尔时代的3D封装技术——高端通信网络芯片对3D封装技术的应用驱动[C]. 中兴通讯技术. 2016.

作者简介

刘纪铖 国务院发展研究中心国际技术经济研究所研究二室,助理分析员

研究方向:信息领域战略、技术和产业前沿

联系方式:liujc206@163.com

作者简介

唐乾琛 国务院发展研究中心国际技术经济研究所研究二室,三级分析员

研究方向:信息领域战略、技术和产业前沿

联系方式:tangqc96@163.com

编辑丨郑实

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