纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决SW pin负压和高dvdt

2022年6月22日－NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A ，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。

可广泛应用于

 光伏、储能等新能源领域

 空调压缩机、工业电机驱动

 高效高密度工业、通信、服务器电源

 半桥、全桥、LLC电源拓扑

如下图NSD1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW pin可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。

NSD1624输入逻辑可兼容TTL/CMOS，方便控制。高压侧和低压侧均具备独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多种封装形式 。

NSD1624功能框图

NSD1624简化应用电路

解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt的痛点

图一：半桥驱动IC典型应用电路图示

图二：Q1、Q2管子开关过程中，SW产生震荡和负压

上图一所示是半桥驱动IC非常典型的应用电路。在Q1、Q2管子开关过程中，SW 会产生一定程度的震荡，同时会有负压产生，如上图二所示。如果驱动IC SW pin 耐负压能力比较低，就会导致IC损坏。

SW pin 产生震荡和负压的原因是： 当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从GND 通过下管的体二极管进行续流，如图一的红色箭头方向所示。在真实电路中，该电流路径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。

SW 的电压 Usw=-Lss * (di/dt)，通过公式可以看出，续流电流通过路径中的寄生电感，会在SW上产生负压。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 大，同时电路中寄生电感越大，即Lss 值越大，则SW产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动IC。

此外，开关频率越大，SW产生的dv/dt就越大。如果选择的驱动IC dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动IC内部逻辑错误，可能会使得驱动IC的HO 和 LO同时输出高电平，使得上下管同时打开，造成短路，甚至烧坏管子。

纳芯微创新地将隔离技术方案应用于NSD1624 高压半桥IC中，很好解决了上述问题，即：SW pin负压和高dv/dt的痛点。该创新技术，使得NSD1624 SW pin 电压能够承受高达±1200V，可以承受非常高的负压；同时dV/dt抗干扰能力超过100kv/us。因而 NSD1624 非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。

为什么 Buck-Boost 芯片没有输出负压？图文结合，一文告诉你答案

今天给大家分享的是：为什么 Buck-Boost 芯片没有输出负压？

不知道大家在项目于上使用Buck-Boost芯片时，有没有这样的疑问：选用的明明是升降压变换器，也在单板上正常使用了，但是输出并不是负压！

应该很多人有过这样的设计：输入电压是2.5~5V，输出3.3V，DC-DC芯片选用的就是Buck-Boost芯片，输出也的确是正的3.3V，并不是基础拓扑说的负压！

那到底是原因导致的呢？

一、标准的Buck-Boost变换器的拓扑

先了解标准的 Buck-Boost 变换器的拓扑。当 Q1 开关管导通时，输入电压对电感进行充电，此时二极管D1截止。

当 Q1 开关管闭合时，电感阻止电流的降低，感应出的电流对负载充电，此时二极管 D1导通，则负载下端电压高，上端电压低，如果将下端作为 GND，输出即为负压。

标准的Buck-Boost变换器的拓扑

按照 Buck-Boost 的工作原理，输出确实应该就是负压，但实际上各大厂商提供的Buck-Boost芯片很少是输出负压的。

比如 MP28160芯片，从芯片外部来看，就一个电感 。从芯片的描述来看，明明就是 Buck-Boost 芯片，但是输出却是正电压。

MP28160芯片外部

要解决上面的疑问，还要深入到芯片内部来看。

下面是 MP28160 的内部框图，竟然有四个MOS管。 这和最开始介绍的Buck-Boost拓扑并不一样！没有二极管，而且多了三个MOS管。

MP28160 的内部框图

现在，我们来推导一下，从负压的 Buck-Boost 怎么得到正压的四管的 Buck-Boost。

二、从负压的Buck-Boost怎么得到正压的四管的Buck-Boost?

1、目标是输入2.5V~5V，输出3.3V，可以先升压再降压

如下图所示，将两个拓扑串联起来，完全可以实现目标需求，而且是正压输出 。

但是这里有两个电感，而且需要两个控制器，一个降压，一个升压，同时这里还有两个二极管，损耗比较高，效率低，且成本高。

2、为了解决上述问题，将二极管换成 MOS 管

只要合理控制上述4个MOS管的开通和关断时序，完全可以实现升压，降压功能，且输出正压。

但是这里还是有个问题没解决——存在两个电感！

3、为了解决两个电感的问题，改用降压和升压串联

这种方案相比升压和降压串联，只有一个电感，输出正压，更接近目标的需求 。但是因为存在两个二极管，还是会存在效率低，无法用在大功率的场合。因此，还需要进一步优化。

4、将二极管更换为MOS管

经过上述4步的变换，既可以实现了目标需求，同时还和刚刚看到的 MP28160芯片内部的拓扑框图一致，这说明，使用降压和升压拓扑串联，其实是可以实现升降压的 。

所以，大家在单板上使用的Buck-Boost芯片，更为准确的说应该是四管单电感升降压变换器。 与最初大家所熟知的，带有二极管的负极性的Buck-Boost拓扑并不是描述的同一个电路拓扑。

三、对于上述4个MOS管的拓扑，是如何实现所需要的电压？

在 MP28160 Datasheet 上找到相关的描述，MOS管的开通的关断会自动根据输入和输出电压的关系，进行MOS时序控制。

MP28160 Datasheet

1、当输入电压高于输出电压时，工作在 Buck模式

Buck 模式时序如下，这种模式下要求Q3一直需要导通。

2、当输出电压高于输入电压时，工作在Boost模式时

时序如下，这种模式下要求Q1一直需要导通。

3、当输入电压和输出电压接近时，工作在Buck-Boost模式

这种模式存在两种方式：

（1）当输入电压高于输出电压时，此时有Buck充电和Boost充电两种方式，而只有Buck放电一种方式；

Buck充电方式，MOS管工作时序

Buck充电方式，MOS管工作时序

Boost充电方式，MOS管工作时序

Boost充电方式，MOS管工作时序

Buck放电方式，MOS管工作时序

Buck放电方式，MOS管工作时序

（2）当输出电压高于输入电压时，此时只有Boost充电一种方式，而有Buck放电和Boost放电两种方式；

Boost充电方式，MOS管工作时序

Boost充电方式，MOS管工作时序

Buck放电方式，MOS管工作时序

Buck放电方式，MOS管工作时序

Boost放电方式，MOS管工作时序

Boost放电方式，MOS管工作时序

从上面的分析可以看出，四管升降压的拓扑相比带有二极管的负压Buck-Boost而言，工作模式多样，控制方式也比较复杂，在PCB布局设计时要求也更高，因为出现了更多SW节点和功率回路。

四、总结

基础的Buck-Boost拓扑，输出的确是负压。但是在实际工作应用中，需要Buck-Boost拓扑，且输出负压的并不多。目前被广泛使用的，只有一个电感的升降压电路，准确的来说，并不是我们常说的Buck-Boost基础拓扑。

只不过是四管单电感的这种拓扑恰好实现了升降压的功能，而且还仅仅就一个电。因此，这种升降压电路更为准确的说法应该是：四管单电感升降压型Buck-Boost拓扑。

四管的工作时序和模式和输入和输出电压有较强的关联系，当输入大于输出时，Buck多，Boost少；当输出大于输入时，Buck少Boost多。

回到开头的疑问，基础的、三种非隔离的DC -DC拓扑之一的Buck-Boost，输出是负压。但是，目前使用较多的，输出是正压的，应该是四管单电感升降压型拓扑，很明显它属于Buck-Boost，但作为硬件开发人员，需要做好区分，而不能混为一体。

来源：《大话硬件》https://mp.weixin.qq.com/s/Xv_ADhyq5Ag1sU6VgidXLQ

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