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开关控制芯片 南芯科技申请高压开关电路的控制电路,芯片,实现方法及设备专利,实现快速导通第二晶体管和第四晶体管,或第一晶体管和第三晶体管
发布时间 : 2024-11-23
作者 : 小编
访问数量 : 23
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南芯科技申请高压开关电路的控制电路、芯片、实现方法及设备专利,实现快速导通第二晶体管和第四晶体管、或第一晶体管和第三晶体管

金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,上海南芯半导体科技股份有限公司申请一项名为“高压开关电路的控制电路、芯片、实现方法及设备“,公开号CN117543946A,申请日期为2023年11月。

专利摘要显示,本申请提供一种高压开关电路的控制电路、芯片、实现方法及设备。在控制电路中,电压输出组件根据第一高边电压向电压钳位组件提供钳位电压,钳位电压小于第一高边电压;电压钳位组件在第一控制电压为第一阈值且第二控制电压为第二阈值时,将第二电容放电,将第二电容的上极板电压从第一高边电压降低至钳位电压,控制第二晶体管和第四晶体管导通;在第一控制电压为第二阈值且第二控制电压为第一阈值时,将第一电容放电,将第一电容的上极板电压从第一高边电压降低至钳位电压,控制第一晶体管和第三晶体管导通,从而快速导通第二晶体管和第四晶体管、或第一晶体管和第三晶体管。

本文源自金融界

6脚一键开关机芯片 长按10秒开关机IC 触发延时开关芯片方案

EY321-EAE12F长按10秒开关机芯片

一.功能说明

开关控制芯片,工作电压范围:DC 2.2-5.0V,按键轻触开关KEY,控制2路OUTH-OUTL输出,上电OUTH为低电平,OUTL为高电平,长按按键 10 秒后OUTH输出高电平,OUTL输出低电平,再次长按10秒后输出电平翻转(OUTH输出低电平,OUTH输出高电平)。

二.电气参数 (VDD=5.0V TA=25℃)

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

条件

工作电压

VDD

2.2

3.0

5.0

V

工作电流

IOP

5

uA

VDD=3.0V,输出悬空

静态电流

ISTB

5

uA

VDD=3.0V,输出关闭

驱动电流低电平输出

IOL

14

mA

VDD=3.0V,VOL=0.7V

驱动电流高电平输出

IOH

6

mA

VDD=3.0V,VOH=0.7V

过VDD极限电流

IVDDmax

50

mA

过GND极限电流

IGNDmax

50

mA

工作温度

TA

-10

25

65

储存温度

Tstg

-20

25

125

三.封装脚位图(SOT23-6)

长按10秒开关机芯片

管脚号

符号

功能描述

1

OUTH

信号输出,高电平有效

2

GND

IC负极

3

KEY

触发开关

4

OUTL

信号输出,低电平有效

5

VDD

IC正极

6

NC

悬空

四. 参考电路图

一键开关机IC

*C2电容可根据电源实际需要调整或省略

五.封装尺寸(SOT23-6)

SOT23-6电源开关芯片

六.版本说明

版本

日期

描述

EY321-EAE12F

2023/10/20

V01F版本

10秒延时开关IC

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