国产18亿像素CMOS芯片诞生，打破索尼垄断，运用光刻拼接技术

在CMOS芯片领域，索尼一直排第一，而三星则一直排第二，这么多年以来不曾被谁颠覆过。

如下图所示，2023年，索尼市场份额45%，三星19%，合计占到64%，而国产虽然有三大企业上榜，是第3名的豪威，第7名的格科微（Galaxycore）和第八的思特威（SmartSens）。

但合计份额，只有18%，还不如三星一家，连索尼一半都没有。

事实上，在市场份额之外，国产CMOS大多都是中低档产品，高端产品，全部是索尼、三星等的天下，特别是一些单反镜头等，索尼处于绝对垄断地位。

不过近日，国产CMOS芯片，终于也有了突破，本土CMOS封测企业晶方科技，和本土CMOS芯片厂商思特威，联合推出了业内首颗 1.8 亿像素全画幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 图像传感器）。

这颗传感器，不是用于手机的，主要用于高端单反相机，而这也是国产CMOS首次打破索尼在超高像素全画幅CIS领域的垄断。

这颗CMOS芯片的诞生，背后还有一个关键技术，那就是光刻拼接技术。

何谓光刻拼接技术？其实是在光刻时，一个光罩无法覆盖全部芯片，所以需要更多的光罩，这就涉及到光刻时，需要对电路图进行拼接，拼接的话，一般会因为精度问题，导致良率下降。

而这次是晶方科技和思特威共同开发了光刻拼接技术，解决了在像素列中拼接精度、良率等问题，使得拼接后的芯片，依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。

目前，随着新能源汽车大发展，以及手机业的复苏，再加上各种视频设备的兴起，CMOS市场会持续增长。

而以前CMOS芯片一直被日韩垄断，希望国产能够更给力一点，推出更多更好的CMOS芯片，来替代索尼、三星等的市场，让中国厂商，用国产CMOS芯片，这样避免被卡脖子，也能发展自己的产业链。

晶合集成：55nm单芯片、高像素背照式图像传感器已量产，40nm高压OLED预计2024年二季度小批量量产

金融界5月8日消息，晶合集成披露投资者关系活动记录表显示，公司55nm的单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）已量产；40nm高压OLED已成功点亮面板，预计2024年二季度小批量量产。未来OLED市场增长主要受益于终端市场需求提升和国产化替代。从营收占比看，国内与国外客户各占一半，无较大变动。未来公司仍将深耕12英寸晶圆代工业务，保持显示驱动领域的优势地位，建立以DDIC、CIS、PMIC、MCU、Logic五大产品为主轴的产品矩阵，致力于研发并应用行业先进的不同工艺，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司产品陆续通过车规级认证，公司将加快产品量产。公司积极履行环境责任，采用国内国际先进污染处理设施，有效减少污染物排放，2023年污染物处理设施运行状况良好。

本文源自金融界AI电报

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