为何必易微电源芯片能获多家知名品牌青睐，看完这篇文章秒懂

前言

深圳市必易微电子股份有限公司（股票代码：688045）是一家高性能模拟及数模混合集成电路供应商，主营产品包括 AC-DC、DC-DC、驱动 IC、保护 IC、线性稳压、电池管理、放大器、数模转换器、传感器、隔离与接口等，为消费电子、工业控制、网络通讯、数据中心、汽车电子等领域客户提供一站式芯片解决方案和系统集成。

必易微电源芯片

充电头在整理历年拆解案例时，发现必易微多款电源芯片已获联想、努比亚、安克、品胜、小米等国内知名厂商的数十款设备采用，下文小编将带您领略必易微电源芯片的魅力。

AC-DC

必易微在快充更新迭代，形成了全功率段解决方案，目前拥有包括Si-MOS系列方案：KP223XXA，KP2201，KP220X，KP2203X系列控制器和合封方案。氮化镓系列方案：KP2202，KP2206，KP2206X，KP2208X系列控制器和合封方案，搭配必易微同步整流系列产品：KP4050，KP405XX，KP4060，KP406XX系列，KP4166X，KP4226X系列，满足客户每一个细分规格的需求。必易微快充产品系列拥有共数十款芯片家族产品，深耕细作，深入客户，在市场上不断赢得了客户的信任。

必易微KP2202高频QR控制器

必易微KP2202是一颗高频准谐振反激PWM控制器，芯片内置高压启动和X电容放电功能，具备快速启动能力和低待机功耗优势。芯片支持500kHz开关频率，谷底开通降低损耗，芯片支持绿色节能模式，待机功耗低于30mW。

必易微KP2202最高工作频率分500kHz、300kHz、140kHz三档可调；通过峰值电流抖动实现抖频功能；VDD供电范围10-112V；芯片集成完善全面的保护功能，内置驱动器可驱动CoolMos和GaN开关管。

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必易微KP2206 高频QR氮化镓控制

必易微KP2206是一颗高频高性能准谐振模式PWM控制器，采用电流模式控制。芯片内部集成高精度氮化镓开关管驱动，以及负压采样功率，无需阻容分压网络，氮化镓驱动性能更可靠，更简洁。芯片还集成独立的氮化镓开关管导通驱动速度调节功能，从而优化系统EMI性能。

必易微KP2206支持最高500kHz开关频率，支持全范围准谐振模式工作，芯片集成双绕组供电功能，支持最高112V超宽供电电压，芯片支持高压启动和X电容放电，待机功耗低于30mW。同时芯片还集成完备的保护功能，支持供电欠压过压保护，输入欠压、过压保护，输出过压保护，逐周期过流保护，自适应过流保护以及过热保护等保护功能。

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必易微KP2206X系列合封氮化镓产品

必易微开关电源主控芯片KP2206X系列合封方案满足客户30~140W快充方案。其中KP22062内部集成典型值365mΩ氮化镓开关管。芯片集成驱动调节功能，可调节开关管导通时驱动速度，优化系统EMI性能。KP22062的工作频率最高可达500kHz，可全范围工作在准谐振模式。

芯片支持超宽VDD供电范围9V-112V，支持140/300/500kHz开关频率。芯片直接检测交流输入电压，支持快速启动功能，X电容放电功能和小于30mW的待机功耗，满足六级能耗要求，并集成完善全面的保护功能。

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必易微KP2206X系列产品，其中KP22066是一颗合封氮化镓芯片，内部集成165mΩ导阻的氮化镓开关管，反激控制器和可靠的驱动电路。芯片内部集成高压启动电路，可缩短启动时间并降低待机功耗。同时还集成了X电容放电功能，可进一步降低待机功耗。芯片内置高可靠的氮化镓驱动，提供稳定的6.2V栅极驱动电压，同时芯片集成外部驱动开通速度调节功能，可以通过外部配置参数优化EMC，解决了高频合封氮化镓电源设计的一大难题。

KP22066采用了负压电流采样技术，驱动回路中没有采样电阻，开通时驱动电压不会受到电流采样电阻压降影响，更加高效。合封技术进一步减小了寄生参数对高频开关的影响，提高整体稳定性。KP22066具有三档工作频率可通过管脚配置，支持140kHz、300kHz、500kHz，支持9-112V供电电压，适配宽电压输出应用。

这款芯片还内置峰值电流抖动功能以优化EMI，支持绿色模式和打嗝模式工作，芯片内集成了供电欠压、过压保护，集成输入欠压、过压保护，集成输出过压保护，逐周期电流限制，过载保护，过流保护，过热保护，电流采样电阻开路保护等保护措施。

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必易微KP2206X系列产品，其中KP22066A相较于KP22066，去除X电容放电功能，适合桥前桥后供电方案，使用更灵活，芯片内部集成165mΩ导阻的氮化镓开关管，采用ESOP-10W封装，散热性能更优，内部集成反激控制器和可靠的驱动电路。芯片内部集成高压启动电路，可缩短启动时间并降低待机功耗。同时还集成了X电容放电功能，可进一步降低待机功耗。同时内置高可靠的氮化镓驱动，提供稳定的6.2V栅极驱动电压。

KP22066A具有三档工作频率可通过管脚配置，支持140kHz、300kHz、500kHz，支持9-112V供电电压，适配宽电压输出应用。芯片内集成了供电欠压/过压保护，输入欠压/过压保护，输出过压保护，逐周期电流限制，过载保护，过流保护，过热保护，电流取样电阻开路保护等保护措施。采用ESOP-10W封装。

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必易微KP223XX，KP223XXA合封MOSFET系列产品

必易微KP223XX，KP223XXA合封MOSFET系列产品适合18~35W快充应用，其中必易微主控芯片KP22306SG内置650V 1.5R高压MOSFET，集成输入欠压（BOP）、过压保护 （OVP），超宽VDD工作范围：8V-40V，满足20W快充要求。

KP22306SG支持高压启动，专利轻载模式实现超低待机<30mW；准谐振控制、最高工作频率 80kHz；专利的EMC抖频设计，EMC Easy Pass；谷底锁定功能，轻载静音工作；输出过流点自适应调节；内置斜率补偿、过流点补偿等。

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必易微KP22306WG是一款针对离线式反激变换器的高性能准谐振电流模式PWM转换芯片。集成有高压启动电路，可以获得快速启动和超低待机性能；芯片支持8-40V的VDD供电，满足宽电压输出电源的要求。

这款芯片内部具有高精度80kHz开关频率振荡器，且带有频率调制和电流峰值调制功能，优化EMI性能。芯片结合准谐振控制模式，绿色节能模式和打嗝模式，全范围优化效率，实现待机功耗小于30mW，满足六级能效要求。KP22306WG还集成有完备的保护功能，独有的ASOP-6封装实现了更好的散热性能。

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必易微KP22308WG是一款针对离线式反激变换器的高性能准谐振电流模式PWM转换芯片，集成有高压启动电路和650V高性能MOSFET，可以获得快速启动和超低待机的性能。

芯片支持8-40V的VDD供电，方便满足宽电压输出电源的要求，同时具备完备的保护功能大大提高系统的可靠性，比如输入过欠压保护、输出过压保护、高精度过流保护（协议失效时依然可精准保护输出电流）。

KP22308WG内部具有高精度80kHz开关频率振荡器，且带有频率调制和电流峰值调制功能，可优化EMI性能。芯片结合准谐振控制模式，绿色节能模式和打嗝模式工作，全范围优化效率，实现待机功耗小于30mW，满足六级能效要求，并且集成全面的保护功能。

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必易微KP22315是一款针对离线式反激变换器的高性能准谐振电流模式PWM转换芯片，集成有高压启动电路，可以获得快速启动和超低待机的性能，芯片支持8-40V的VDD供电，方便满足电源宽电压输出的要求。

芯片内置650VMOS管，具有高精度80kHz开关频率振荡器，且带有频率调制和电流峰值调制功能，可优化EMI性能。芯片结合准谐振控制模式，绿色节能模式和打嗝模式工作，全范围优化了系统效率，可实现待机功耗小于30mW，满足六级能效要求，并且集成全面的保护功能。

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必易微KP22308A是一款针对离线式反激变换器的高性能准谐振电流模式PWM转换芯片。芯片内部集成高压启动电路，可以获得快速启动和超低待机性能；芯片支持8-40V的VDD供电，满足宽电压输出电源的要求。

KP22308A内部具有高精度80kHz开关频率振荡器，且带有频率调制和电流峰值调制功能，优化EMI性能。芯片结合准谐振控制模式，绿色节能模式和打嗝模式，全范围优化效率，实现待机功耗小于30mW，满足六级能效要求。

这款芯片还集成完备的保护功能，包括：VDD欠压保护、VDD 过压保护 、输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护、逐周期电流限制、异常过流保护 、过载保护、输出过流保护 、短路保护、内置过热保护、软启动、前沿消隐等。另外，独有的ASOP-6封装实现了更好的散热性能。

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必易微KP22315A是一款高性能准谐振电流模式PWM转换芯片，芯片内部集成650V耐压，导阻0.5Ω的功率MOS管，支持30W快充应用。集成高压启动电路，可以获得快速启动和超低待机性能。芯片支持8-40V的VDD供电，满足快充电源宽电压输出的需求。

芯片内部具有高精度80kHz开关频率振荡器，带有频率调制和电流峰值调制功能，可优化EMI性能。芯片结合准谐振控制模式，绿色节能模式和打嗝模式工作，全范围优化了系统效率，可实现待机功耗小于30mW，满足六级能效要求，并且集成全面的保护功能。

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必易微KP2201高性能MOSFET控制器

必易微KP2201是一款针对离线式反激变换器的高性能电流模式PWM控制器，采用SOP-8封装。芯片集成了高压启动、输入掉电检测以及X电容放电功能，可以满足快速启动和超低待机的要求 (典型值<30mW@230Vac)。芯片采用绿色节能模式，打嗝模式，中载谷底导通模式等优化系统效率，可轻松满足六级能效要求。

KP2201内置高精度的65kHz开关频率振荡器，集成了斜坡补偿，软启动，抖频技术，环路增益调节等功能。其系统的稳定性，可靠性，电磁兼容性得到极大的提升。此外，VDD 的可工作电压范围为8V-70V，VDD极限耐压为80V，集成有完备的保护功能，非常适用于PD快充等宽电压输出的适配器。

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必易微KP22035合封MOSFET产品

必易微KP22035是一款离线式反激变换器，内部集成CoolMos的高性能电流模式 PWM 转换芯片。芯片采用绿色节能模式，打嗝模式，中载谷底导通模式等优化系统效率，可轻松满足六级能效要求。芯片支持8-75V的 VDD 供电，方便满足宽电压输出电源的要求。

KP22035内置高精度的65kHz开关频率振荡器，集成了斜坡补偿，软启动，抖频技术，环路增益调节等功能。其系统的稳定性，可靠性，电磁兼容性得到极大的提升。此外，KP22035还集成集成有完备的保护功能。

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同步整流

必易微KP4050，KP405XX高性能同步整流系列

必易微KP4050是一款高性能副边同步整流控制器，当配合外置MOS使用时，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。KP4050支持High Side和Low Side配置，且内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电，降低了系统成本。

KP4050还具有快速关断功能，支持断续工作模式（DCM）、准谐振工作模式（QR）及连续工作模式（CCM）。其内部集成智能开通检测功能，可以有效防止断续工作模式（DCM）中由于Vds振荡引起的SR误开通。

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同步整流芯片KP40511属于必易微KP4051X系列产品。这是一款内置MOS的高性能副边同步整流芯片，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。支持High Side和Low Side配置，且内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电，降低了系统成本。

KP40511具有快速关断功能，支持断续工作模式（DCM）、准谐振工作模式（QR）以及连续工作模式（CCM）。KP40511内置100V 16mΩ导阻MOSFET，还集成智能开通检测功能，可以有效防止断续工作模式（DCM）中由于Vds振荡引起的SR误开通。

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必易微同步整流芯片KP40512属于必易微KP4051X系列产品。这是一款内置MOS的高性能副边同步整流芯片，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。支持High Side和Low Side配置，且内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电，降低了系统成本。

KP40512具有快速关断功能，支持断续工作模式（DCM）、准谐振工作模式（QR）以及连续工作模式（CCM）。KP40512内置100V MOSFET，还集成智能开通检测功能，可以有效防止断续工作模式（DCM）中由于Vds振荡引起的SR误开通。

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必易微KP40562是一款高性能副边同步整流功率开关，内置60V同步整流管，可以取代传统肖特基二极管提高电源转换效率。KP40562支持高侧和低侧配置，内置VDD高压供电，无需辅助绕组供电。

必易微KP40562采用SOP-8封装，支持DCM/CCM和QR工作模式，内部集成智能开通检测功能，有效防止误开通。适用于USB PD和电源适配器应用，支持4A输出电流，最高工作频率为300kHz，可与氮化镓芯片搭配使用。

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必易微KP4060，KP406XX系列高频同步整流产品

必易微KP4060是一颗同步整流控制器，支持DCM、CCM、QR工作模式和有源钳位Flyback拓扑，支持600kHz工作频率，集成高压检测电路和高压供电电路，集成智能双路LDO，无需辅助绕组供电，支持输出短路SR工作。采用了节省空间的SOT23-6封装。

KP4060支持宽范围输出电压应用，特别适用于支持QC、PD等协议的快充领域。并且支持高侧或低侧配置，小于30ns开通和关断延时，Gate驱动有源钳位技术，防止寄生耦合导致的误开通，具有专利的智能电流过零关断和智能开通检测技术防止误开通，确保安全使用。

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必易微KP40612是一颗内部集成100V 10mΩ同步整流管的整流芯片，支持反激，有源钳位反激，支持DCM，QR和CCM工作模式，支持600kHz开关频率，支持高侧和低侧配置，支持宽输出范围，具备智能开通检测和智能过零检测，采用ASOP-6封装，进一步增强散热功能 。

芯片还内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。

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必易微KP40613是一颗内部集成100V 6mΩ同步整流管的整流芯片，支持反激，有源钳位反激，支持DCM，QR和CCM工作模式，支持高侧和低侧配置，支持宽输出范围，具备智能开通检测和智能过零检测，采用PDFN5×6封装增强散热，支持65W P快充应用。

芯片还内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。

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降压芯片

必易微KP15051

必易微KP15051是一款高性能低成本的PWM控制芯片，适用于离线式小功率非隔离降压应用，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置500V高压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。

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必易微KP321XB

必易微KP321XB系列是一款高性能PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件数量少；同时产品内置650V高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。器件集成高压启动电路和软启动电路，集成完备的保护功能。

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必易微KP3310

必易微KP3310是一颗支持高压输入，无需电感及高压电容的稳压器，具备2%的高输出精度，输出支持5V/3.3V/2.7V三档输出电压，具备快速动态响应，并具备输出短路过载保护等保护功能，外接100K电阻可设定为5V输出。

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必易微KP35026

必易微KP35026是一颗固定3.3V输出的降压芯片，采用SOP-4封装。芯片内部集成高压启动电路和高耐压MOS管，可以有效提升系统浪涌耐受能力。KP35026还集成续流二极管以及多项保护功能，外围元件非常精简。

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充电头网总结

当今，快充已经成为工作、学习和日常生活必备的一环。手机厂商也在不断提升充电效率、减小适配器体积，以满足用户对于便捷、高效充电的需求。在这个竞争激烈的市场中，必易微通过先进的电源芯片技术，斩获国内多家知名大厂订单，为用户提供更安全、高效的充电体验。未来必易微的步伐不止于此，将继续加大研发力度，致力引领未来充电技术发展方向。

专为快充宽压设计，五家快充芯片大厂推出AHB架构主控芯片

前言

近年得益于全新氮化镓、碳化硅技术在各方面高度关注下，快充产业发展迅猛，快充产品总体呈现出多功能、多接口、大功率、小体积的发展趋势。此外USB PD3.1快充标准将快充功率上限提升至240W极大扩展了快充应用范围，以及苹果140W PD3.1快充商用催生的第三方市场，也都为百瓦级及以上快充市场发展持续注入动力。

在大功率电源设计上，目前LLC和AHB是业内两种比较主流的拓扑结构。虽说两种拓扑结构出现的也都比较早，但相较LLC架构来说，AHB架构进入消费类电源领域在时间上还是晚了一些。不过凭借在成本、设计难度等方面的优势，AHB架构很快获得行业的高度关注。

什么是AHB控制器

AHB是 Asymmerical Half-Bridge 非对称半桥的缩写，AHB控制器即是通过使用两颗开关管组成半桥结构，使用电容与变压器初级线圈串联，共同储能，并通过新增的开关管，将电容能量通过变压器传递到次级的器件。

相比传统反激将变压器漏感能量作为发热消耗，AHB控制器不仅实现了漏感能量的回收利用，还实现了主开关管零电压开通以及同步整流管零电流关断，减小了开关损耗，同时也减小发热。

AHB拓扑的特点及优势

AHB拓扑不对称半桥里面的变压器励磁电感和谐振电容器均参与存储能量，与反激式转换器相比，会缩小部分体积；AHB结合了反激变换器及不对称半桥的优点，利用励磁电流实现开关管ZVS的同时，利用谐振电流实现了次级整流二极管ZCS；AHB适合宽电压输出，相比LLC拓扑，在PD快充等输出电压变化范围宽的应用优势巨大，成本优势大；AHB开关频率限制在相对较小范围，对EMI滤波器的设计十分有益；AHB是适合应用于高功率密度和具有成本效益的拓扑。

AHB架构相比LLC架构，有如下优点。第一，AHB架构的二次侧为单功率器件拓扑，可以有效降低系统成本；第二，AHB架构的二次侧整流管电压应力远小于传统反激架构，可以采用耐压更低的MOS管作为整流管，极大的降低了系统成本和调试难度，尤其适用在PD快充等需要高输出电压的应用场景。第三，AHB架构中，变压器和谐振电容共同储能，变压器体积可以有效减小。

正是基于AHB拓扑的上述特点及优势，使其能够应用在很多的单口/多口应用、PD3.1快充上，并且目前获得来自行业的高度关注。据充电头网不完全统计，目前东科、英飞凌、杰华特、昂宝、立錡、通嘉等业内知名厂商已经或即将推出全新的AHB控制器产品，下面就一起来详细了解下。

排名不分先后，按企业英文首字母排序。

DK东科

DK8710AD

DK8710AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8710AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。

DK8710AD的内阻为365-480mΩ，推荐应用功率为100W。

DK8710AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8712AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。

DK8712AD

相较于DK8710AD，DK8712AD主要是内阻进一步减少，为270-350mΩ，推荐应用功率为120W。

DK8712AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8712AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。

DK8712AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8712AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。

DK8715AD

DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片，其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS，副边整流管ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，从而减小开关损耗并改善电磁干扰。

DK8715AD支持最高800KHz开关频率，待机功耗小于50mW，具备自适应死区时间，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，可为系统提供更高的性能和可靠性。

DK8715AD外围精简，可极大简化AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8715AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC 过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等。

DK8715AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、电视电源、两轮电动车充电器、通信电源、LED电源等领域之中。

与一元硬币实观对比。

DK8718AD

相较于DK8715AD，DK8718AD主要是内阻进一步减少，为115-150mΩ，推荐应用功率为180W。

DK8718AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8718AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。

DK8718AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8718AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。

Infineon英飞凌

XDPS2201

英飞凌XDPSS2201是一颗数字混合反激控制器，内部集成600V高压启动电路和高低侧MOS驱动。XDPSS2201可自家搭配IGI60F1414A1L半桥氮化镓芯片使用，为客户提供高集成度、高效、高性能、低温升的氮化镓快充解决方案。

XDPSS2201采用峰值电流模式控制，用于快速的负载响应。基于输出电流水平自动切换到突发模式运行，支持初级侧过电压保护，待机功耗＜75mW，可通过单引脚UART界面配置参数，采用PG-DSO-14封装，外围元件精简。

XDPS2221

英飞凌新一代的自适应PFC+软开关HFB二合一控制器XDPS2221，将PFC控制器与XDPS2201控制器所具有的HFB强大功能相结合，助力电源厂商打造更加简洁高效紧凑的电源设计。

英飞凌 XDPS2221 支持 PD 3.1 宽幅90~264Vac（47Hz/64Hz)的电压输入，将产品的应用范围扩大；5V-28V的5A输出，输出功率为140W；转换效率在230V时达到了95%以上，115V转换率达到93.5%，满足能效要求，助力绿色能效要求的 PD 电源适配器开发。

基于混合反激的140W USB-PD 3.1 演示板的主控芯片 XDPS2221 将PFC控制器和HFB控制器封装在一起,原边功率器件采用三颗IGLD60R190D1 (190M ohm/8*8GaN) CoolGaN器件，一颗位于PFC GaN的开关管，另外两颗位于 HFB GaN开关管；副边采用SR GaN开关管型号为 ICQ800NLS（100V/3.3mR) USB-PD协议电源IC型号为 CYPD3175 ；使得PCB板的设计尺寸仅为 109.5*28.5*24mm³，功率密度达到22.67W/In³ or 38W/CC 该设计在节省占板面积的同时，带来了显著的性能提升，可以更好适配各种低功率 PD 适配器的应用。

XDPS2222

XDPS2222相比XDPS2221有了诸多升级改进，具有紧凑14脚封装成自适应PFC和软开关混合反激（HFB），支持超宽范围5~48V输出的USB-PD3.1应用，尤其适用于高功率密度快速充电器、笔记本电脑适配器、电动自行车和电动工具等应用。根据输入、输出而自适应调节的PFC功能，能够显著提高平均效率，满足最新的能效标准。HFB混合反激主变换级实现全共况软开关，提供创新性的谐振电容切换功能极大地满足更宽输出电压范围的设计，进一步提高效率。

JOULWAIT杰华特

JW1556

杰华特JW1556,是一款非对称半桥反激式控制器，采用 QFN 4x4-20封装，适用于离线反激式转换器应用。输入电压范围 2.5-38V，最高工作频率达1.5MHz，支持65-300W快充应用，宽幅的电压和高瓦数的支持，十分适合各种高功率充电器使用。

杰华特 JW1556 可通过单个外置电阻设置工作频率，外围简洁，设计简单。芯片内置软启动功能，支持VIN OVP、VS OVP、SCP、Brown-In/Out、OTP、CS开路和短路保护等多重保护措施，提高电源系统的可靠性，杰华特还可以向充电器厂商提供面向PD 3.1应用的一站式解决方案。

杰华特 JW1556 在重负载下工作在ZVS模式，支持Adaptive ZVS 开关，实现效率最优化。在轻负载下工作在DCM模式，可提供主电源开关和辅助开关两路输出控制，支持高压启动、X电容放电、突发模式控制、可调线路补偿等功能，用来支持充电器各种使用场景和效率最大化。

杰华特 JW1556详细资料。

JW1556B

JW1556B是杰华特针对peak load（峰值功率）优化的型号，支持0-38V更宽输入电压范围，应用在需要1-2倍峰值功率的PC笔记本市场。

杰华特JW1556B很多关键特性与JW1556相同，如采用QFN4x4-20封装，最高工作频率同样是1.5MHz，支持高压启动、X电容放电、突发模式控制、可调线路补偿等功能。

On-Bridge昂宝

OB2792

昂宝 OB2792是一颗AHB控制器，用于零电压开关谐振，正常工作情况下，高侧充电周期为常规峰值电流控制，低侧开通周期由内部自适应控制环路调节。重载下，芯片在连续谐振模式下运行，轻载时进入频率折返模式，实现零电压开关，降低开关损耗。

OB2792支持过压保护，欠压保护，过流保护，开环保护，X电容放电保护，内部和外部过热保护。OB2792旨在提供高效可靠的开关电源解决方案，适用于90W以上的应用场合。

Richtek立錡

立锜RT7209

立锜RT7209是一款高度集成的可编程USB PD控制器，支持USB PD3.1 SPR和EPR 48V规范，并通过了USB-IF PD3.1认证，认证TID：11022 ，支持3V至55V的工作电压，内置MCU，具有16kB的OTP-ROM和2kB的SRAM，内置反馈补偿机制，不仅减少了外部元件，还增强了瞬态响应。

RT7209支持PD3.1、PPS、UFCS等多种快充协议，还允许客户根据特定需求定制私有协议。该芯片内置了分流稳压器，使其在提供恒定电压或恒定电流输出时具有更高的稳定性和可靠性。同时，内置的反馈补偿机制确保了整个系统的稳定性，同时通过可编程线缆补偿功能，用户可以针对线损进行精确调整，优化充电效率。

RT7209还具备VIN引脚检测功能，能够监测输入电压的状态，并据此作出相应的控制决策，从而保障设备的稳定运行。BLD引脚可用于快速放电输出电容，有助于缩短充电周期，提高充电速率。而USBP引脚则提供了直接驱动外部阻断N-MOSFET的能力，进一步增强了系统的控制能力和安全性。

在安全性方面，RT7209支持可编程的过流保护、恒定电流保护、过温保护，支持自适应输出过压保护、输出欠压保护，推荐的结温范围为−40℃至125℃，工作环境温度范围为−40℃至105℃。支持CC1/CC2/D+/D- 过压保护与内部过温保护，适用于多种消费电子的充电适配器之中，采用 WQFN-28L 4x5封装。

充电头网总结

AHB控制器以其在功率密度、效率、成本等方面的优势，逐渐成为了快充产品设计中的主流选择之一。相较于传统的反激结构，AHB架构在能量转换和损耗控制上具有显著的优势，尤其适用于高功率密度和成本效益的应用场景。其在拓扑结构和控制策略上的创新，使得快充产品在实现更高功率输出的同时，也更加高效可靠。

各大厂商都在积极推出各自的AHB控制器产品，这些产品不仅在技术上不断创新，更在实际应用中展现了强大的竞争力。我们看到了AHB控制器产品在单口/多口应用、PD3.1快充等领域的多种应用前景。这些产品不仅提高了电源系统的效率和可靠性，还为电源设计的简化和小型化提供了可能，满足了市场对于高效、紧凑型电源解决方案的需求。未来，随着技术的进一步成熟和市场的不断扩大，AHB架构有望在更多领域展现其独特价值，推动快充产业向更高水平发展。

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