乾照光电获得发明专利授权：“一种LED芯片及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示乾照光电（300102）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LED芯片及其制作方法”，专利申请号为CN202210269983.3，授权日为2024年7月19日。

专利摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，所述第二电极层叠于所述发光台面的部分表面，且在所述发光台面中，所述第二电极及与其距离最短的棱角所形成的区域为强电流密度区；通过在除所述强电流密度区以外的发光台面表面构建透明导电层。从而，有效降低强电流密度区的电场，抑制该区域外延叠层的电化学水解，在长期应用中，大大降低逆电极脱落以及芯片短路，提高芯片在逆偏压状态下的稳定性，增强其可靠性。

今年以来乾照光电新获得专利授权17个，较去年同期增加了54.55%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.21亿元，同比增6.42%。

数据来源：企查查

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艾比森获得实用新型专利授权：“LED芯片、LED显示面板及LED显示屏”

证券之星消息，根据企查查数据显示艾比森（300389）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“LED芯片、LED显示面板及LED显示屏”，专利申请号为CN202322732061.4，授权日为2024年6月14日。

专利摘要：本申请提供了一种LED芯片、LED显示面板及LED显示屏，LED芯片，包括芯片本体和单向透光结构。单向透光结构连接于芯片本体的发光面上，单向透光结构包括导光层和遮光层，导光层和遮光层沿发光面的横向依次交替布置。当环境光线照在本申请的LED芯片上时，遮光层遮挡了部分环境光线的进入，从而使LED芯片反射出的被动发光光线减弱；被动发光光线再经过遮光层的多次反射后，被动发光光线进一步被衰减，从而减低了LED芯片的自身颜色参数对对比度的影响。当芯片本体通电发光后，主动发光光线通过导光层射出。本申请的LED芯片具有强内反射作用弱，对比度更高的优点。

今年以来艾比森新获得专利授权67个，较去年同期减少了6.94%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.67亿元，同比增33.78%。

数据来源：企查查

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