中山德华芯片技术申请砷化镓太阳电池衬底减薄相关专利，能够有效提升在衬底减薄步骤以及后续背面电极制备过程中的良率

金融界 2024 年 9 月 13 日消息，天眼查知识产权信息显示，中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“一种砷化镓太阳电池衬底的减薄方法及其应用“，公开号 CN202410562912.1，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种砷化镓太阳电池衬底的减薄方法及其应用，属于太阳电池技术领域。本发明提供的减薄方法包括湿法腐蚀砷化镓太阳电池半成品；所述砷化镓太阳电池半成品包括叠加设置的原始 Ge 衬底、砷化镓外延层、正面电极、光刻胶层和 UV 膜层。本发明提供的砷化镓太阳电池衬底的减薄方法，能够有效提升在衬底减薄步骤以及后续背面电极制备过程中的良率。本发明还提供了上述减薄方法的应用。

本文源自金融界

云南锗业：控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司6英寸砷化镓芯片已有产出

金融界5月19日消息，有投资者在互动平台向云南锗业提问：公司6英寸砷化镓单芯片研究成功了吗？

公司回答表示：目前公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司6英寸砷化镓芯片已有产出。

本文源自金融界AI电报

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