苏州汉骅半导体取得深紫外 LED 芯片及其制备方法专利，提高 UVC 光的出光效率

金融界 2024 年 9 月 15 日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州汉骅半导体有限公司取得一项名为“深紫外 LED 芯片及其制备方法“，授权公告号 CN115566118B ，申请日期为 2022 年 10 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种深紫外 LED 芯片及其制备方法，包括：外延结构，所述外延结构包括依次堆叠设置的衬底、N 型层、有源发光层、P 型层和 P 型接触层，所述 P 型层为光反射性的 P 型层，所述外延结构形成有自所述 P 型接触层延伸至所述 N 型层的通孔，所述外延结构还包括覆盖所述通孔侧壁的绝缘介质层和覆盖至少部分所述绝缘介质层的第一导电层，所述第一导电层电连接所述通孔底部的所述 N 型层；所述外延结构还包括 N 型电极和 P 型电极，所述 N 型电极电连接所述第一导电层，所述 P 型电极电连接所述 P 型接触层；基板，所述外延结构设置在所述基板上，且所述衬底背向所述基板。通过采用倒装芯片设计，高反射电极可以进一步提高 UVC 光的出光效率。

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山西中科潞安紫外光电科技取得深紫外倒装 LED 芯片专利，提高深紫外倒装 LED 芯片的出光效率

金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司取得一项名为“一种深紫外倒装 LED 芯片及其制备方法“，授权公告号 CN118398737B，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种深紫外倒装 LED 芯片及其制备方法，属于 LED 芯片制备技术领域。包括衬底、AIN 缓冲层、N 型 AlGaN 层、N 型金属欧姆接触层、有源层、P 型 AlGaN 层、P 型 GaN 层、多个凸型结构、P 型反射金属欧姆接触层、钝化层、第一 Pad 金属层、两个第二 Pad 金属层、第一金锡共晶层和两个第二金锡共晶层。通过在 P 型 GaN 层的正面间隔刻蚀多个凸型结构，并在多个凸型结构正面形成 P 型反射金属欧姆接触层，能够使 P 型反射金属欧姆接触层与 P 型 GaN 层呈一定的角度，增大 P 型反射金属欧姆接触层的反射面积，还能够使 P 型 GaN 层与 P 型反射金属欧姆接触层之间形成形成良好的欧姆接触，从而提高深紫外倒装 LED 芯片的出光效率。

本文源自金融界

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