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电感芯片 中科蓝讯申请一种片上电感结构和集成电路专利,有效提升芯片性能
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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中科蓝讯申请一种片上电感结构和集成电路专利,有效提升芯片性能

金融界2024年5月29日消息,据国家知识产权局公告,深圳市中科蓝讯科技股份有限公司申请一项名为“一种片上电感结构和集成电路“,公开号CN202410226843.7,申请日期为2024年2月。

专利摘要显示,本发明实施方式公开了一种片上电感结构和集成电路。该片上电感结构,所述片上电感结构形成于集成电路之中,集成电路至少包括:衬底以及位于衬底上的多个依次层叠的金属层,其特征在于,片上电感结构包括:由远离衬底的,两个或者多个金属层的金属互连线构成的主体线圈;由位于接近衬底的金属层形成的屏蔽层;位于屏蔽层和衬底之间的反偏层,用于形成反偏PN结;隔离环;主体线圈、屏蔽层以及反偏层被环绕在隔离环内。通过上述方式,本发明实施方式利用顶层金属增大金属和衬底之间的距离,降低了电感和衬底之间的电容耦合,并设置了阱于衬底上以形成反偏pn结,防止了磁场耦合在衬底引入涡流,有效提高了片上电感的品质因数,进而提升芯片性能。

本文源自金融界

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本文源自金融界AI电报

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