佰维存储取得固态硬盘及其物理销毁电路专利，可确保每一flash和主控芯片都能够完全被销毁，避免数据泄漏

金融界2024年2月28日消息，据国家知识产权局公告，深圳佰维存储科技股份有限公司取得一项名为“固态硬盘及其物理销毁电路“，授权公告号CN108694338B，申请日期为2018年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种物理销毁电路，该物理销毁电路用于销毁电路板上的flash存储单元和CPU，具体包括接口电路、主控芯片、若干flash存储单元、销毁主控芯片、销毁电源开关以及若干场效应管；主控芯片的输入端与接口电路连接，输出端与flash存储单元连接；主控芯片通过一场效应管与销毁主控芯片连接，每个flash存储单元各通过一个场效应管与销毁主控芯片连接，销毁主控芯片还分别与接口电路、销毁电源开关的输入端连接，销毁电源开关的输出端与每个flash存储单元连接。本发明采用逐个销毁的方式对每个flash存储单元和主控芯片进行销毁，可确保每一flash和主控芯片都能够完全被销毁，避免数据泄漏。

本文源自金融界

铠侠推出BiCS8 FLASH 2Tb QLC闪存：单个封装堆叠16个芯片，提供4TB容量

铠侠（Kioxia）宣布，推出基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四级单元）闪存，目前已开始送样。其拥有业界最大的2Tb（256GB）容量，将存储器容量提升到一个新的水平，将推动人工智能（AI）在内的多个应用领域的增长。

铠侠表示，BiCS8 FLASH 2Tb QLC NAND闪存基于其最新的技术，通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。铠侠引入了与西部数据合作开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的，然后粘合在一起，提供了增强的位密度和业界领先的NAND I/O接口速度（3.6Gbps）。

相比于第五代BiCS FLASH QLC闪存产品，这次第八代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存的位密度提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，可提供4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。也就是说，只需要一颗NAND闪存芯片，容量就能达到4TB，单面M.2 SSD配备2颗就能组成8TB。

除了2Tb QLC闪存外，铠侠还带来了性能更强的1Tb QLC闪存。铠侠称，1Tb QLC闪存的顺序写入性能在2Tb QLC闪存基础上再提升了约30%，读取延迟降低了约15%，更适用于高性能领域，包括客户端SSD和移动设备。

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