英诺激光申请芯片巨量转移方法专利，降低了芯片陷入粘附层内无法拔出的风险

金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，英诺激光科技股份有限公司申请一项名为“芯片巨量转移方法及显示面板“，公开号CN117410397A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种芯片巨量转移方法及显示面板。该芯片巨量转移方法中，提供转移载板，其包括基板、位于基板上的激光反应膨胀层、位于激光反应膨胀层上的粘附层；通过激光照射激光反应膨胀层使其发生体积膨胀，通过物理形变的力学作用进行芯片转移；与印章转移技术相比，芯片只需要和转移载板轻轻贴合或保持一定的空隙即可完成转移，降低了芯片陷入粘附层内无法拔出，或者芯片表面有粘附层残留的风险；与激光胶转移技术相比，激光反应膨胀层和芯片不直接接触，因此不会在芯片周围产生碎屑或其他杂质残留。

本文源自金融界

国外机构拆解长江存储128层TLC闪存芯片，认为技术已赶上业内领跑者

长江存储宣布128层堆叠的3D NAND闪存研发成功，有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3D QLC，以及128层堆叠的3D TLC X2-9060。在2018年的闪存峰会上，长江存储正式推出了Xtacking架构3D闪存，当时还是32层堆叠，仅用三年时间就变成了128层堆叠，效率相当高。

近日，Tech Insights对Asgard（阿斯加特）最新的AN4 1TB SSD（基于PCIe 4.0标准）进行了拆解和分析，这款产品是长江存储128层堆叠3D NAND闪存的首次商业应用。

长江存储的128层堆叠产品采用的Xtacking架构已经全面升级至2.0，可进一步释放3D闪存的潜能，其基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。目前长江存储的Xtacking 2.0架构用于制造128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，以及128层堆叠的3D QLC NAND闪存芯片。

拆解的AN4 1TB SSD采用了长江存储128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，尺寸为60.42平方毫米，位密度增加到8.48 Gb/平方毫米，相比Xtacking 1.0架构的芯片（256Gb）提高了92%。长江存储Xtacking混合键合技术使用了两片晶圆来集成3D NAND器件，因此可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。其单元结构是由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与铠侠的112层堆叠的BiCS 3D NAND闪存在结构上的工艺相同。

与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）现有的128层堆叠512Gb 3D TLC NAND闪存产品相比，长江存储的裸片尺寸更小，这使得它拥有最高的密度。Tech Insights认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争，技术上已赶上其他领跑者。

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