铠侠出样最新一代UFS 40闪存芯片：顺序写入速度提升15%，封装尺寸更小

铠侠在今天宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片，新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格，可用于包括高端智能手机在内的下一代移动端应用产品。

根据铠侠官方的介绍，新闪存芯片提升了5G网络的利用率，从而加快了设备的下载速度，同时使延迟大幅降低，让用户的使用体验得到明显增强。而更小的封装尺寸有助于节省电路板空间，提升电路板的利用率，让电路设计更加灵活从容。

新闪存芯片采用了铠侠的BiCS Flash 3D闪存和主控芯片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速度，并向后兼容UFS 3.1。与上一代UFS 4.0产品相比，新闪存芯片的顺序写入速度提升15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升30%，顺序读取速度不变，依旧维持在4640MB/s。另外，新产品采用JEDEC标准的9mm×13mm封装，比上一代11mm x 13mm的封装小18%，其中256GB和512GB的闪存封装厚度为0.8mm，1TB的封装厚度为0.9mm。

UFS 4.0标准于2022年年底发布，是为了需要高性能和低功耗的移动设备而开发的一种高性能接口标准。对比上一代，UFS 4.0利用M-PHY 5.0版规范和UniPro 2.0版规范，将UFS接口带宽加倍，支持高达4.2GB/s的读写流量；同时为了更高要求的存 I/O模式，引入多循环队列定义；并且容许高级RMPB接口增加带宽，同时保护数据的安全。

铠侠官方还表示，256GB和512GB容量的产品于本月开始出样发货，而1TB的产品则需要等到6月后才能发货，样品规格可能会与最终量产版本有不同。

台积电探索先进芯片封装技术：改用矩形基板，300mm晶圆可用面积增加近三倍

台积电（TSMC）正经历前所未有的人工智能（AI）芯片的需求，市场对英伟达的数据中心GPU的需求大幅度提高，为此不断针对性地兴建新设施，以满足客户的订单需求。其中CoWoS封装产能成为了瓶颈，为此台积电除了扩大产能外，还积极探索新的封装技术。

据相关媒体报道，近日有业内人士透露，台积电正在开发一种新的先进芯片封装技术，将使用矩形基板，而不是传统的圆形晶圆。其允许将更多芯片放置在单个基板上，从而满足未来人工智能芯片的制造需求。虽然研究还处于早期阶段，可能还要等几年时间才能量产，但代表了台积电重大技术转变，再一次站在芯片制造技术的前沿。

据了解，台积电正在测试的矩形基板尺寸为515mm x 510 mm，与目前12英寸（300mm）晶圆相比，可用面积是其3.7倍以上，可以更好地满足市场对芯片的需求。使用矩形基板还可以更好地消除圆形晶圆边缘上不完整的芯片，虽然听起来只是使用的晶圆形状发生了改变，但实际上要对整个制造流程进行彻底改造。

台积电也回应了媒体的报道，表示正在密切关注先进封装技术的进步和发展，包括面板级封装技术。

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