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开关芯片 艾为电子申请射频开关电路及射频开关芯片专利,提升射频开关的隔离度
发布时间 : 2024-11-23
作者 : 小编
访问数量 : 23
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艾为电子申请射频开关电路及射频开关芯片专利,提升射频开关的隔离度

金融界 2024 年 7 月 12 日消息,天眼查知识产权信息显示,上海艾为电子技术股份有限公司申请一项名为“射频开关电路及射频开关芯片“,公开号 CN202410438263.4,申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示,本申请实施例提供了一种射频开关电路及射频开关芯片。该射频开关电路包括:射频电路,包括共用输入端和多个输出端,其中,所述共用输入端与所述多个输出端分别形成多个射频通道的串联支路,每个输出端连接到对应的射频通道的并联支路的一端;封装电路,包括与每个射频通道对应的接地端、接地布线和谐振支路,其中,每个射频通道的并联支路的另一端连接到对应的接地端,每个谐振支路串联在对应的接地端与接地布线的一端之间,每个谐振支路中至少包括谐振电容。如此,在不增加射频开关芯片面积或改变封装设计的前提下,通过在封装电路中增设谐振电容构成谐振支路,从而降低寄生电感对射频开关芯片的性能影响,提升射频开关的隔离度。

本文源自金融界

6脚一键开关机芯片 长按10秒开关机IC 触发延时开关芯片方案

EY321-EAE12F长按10秒开关机芯片

一.功能说明

开关控制芯片,工作电压范围:DC 2.2-5.0V,按键轻触开关KEY,控制2路OUTH-OUTL输出,上电OUTH为低电平,OUTL为高电平,长按按键 10 秒后OUTH输出高电平,OUTL输出低电平,再次长按10秒后输出电平翻转(OUTH输出低电平,OUTH输出高电平)。

二.电气参数 (VDD=5.0V TA=25℃)

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

条件

工作电压

VDD

2.2

3.0

5.0

V

工作电流

IOP

5

uA

VDD=3.0V,输出悬空

静态电流

ISTB

5

uA

VDD=3.0V,输出关闭

驱动电流低电平输出

IOL

14

mA

VDD=3.0V,VOL=0.7V

驱动电流高电平输出

IOH

6

mA

VDD=3.0V,VOH=0.7V

过VDD极限电流

IVDDmax

50

mA

过GND极限电流

IGNDmax

50

mA

工作温度

TA

-10

25

65

储存温度

Tstg

-20

25

125

三.封装脚位图(SOT23-6)

长按10秒开关机芯片

管脚号

符号

功能描述

1

OUTH

信号输出,高电平有效

2

GND

IC负极

3

KEY

触发开关

4

OUTL

信号输出,低电平有效

5

VDD

IC正极

6

NC

悬空

四. 参考电路图

一键开关机IC

*C2电容可根据电源实际需要调整或省略

五.封装尺寸(SOT23-6)

SOT23-6电源开关芯片

六.版本说明

版本

日期

描述

EY321-EAE12F

2023/10/20

V01F版本

10秒延时开关IC

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 常丽丽  埃尔纳内斯 
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