为什么中国大陆，还制造不出5nm、3nm的先进芯片？

什么样的芯片算是先进芯片？按照之前行业惯例，28nm以下的芯片，称之为先进芯片，而28nm及以上的芯片，称之为成熟芯片。

不过，随着时代的进步，现在大家都觉得只有5nm及以下的芯片，才算是先进芯片，至于7nm甚至7nm之上的，10nm、14nm芯片等，都不算先进芯片了。

毕竟目前像台积电、三星、英特尔都进入3nm，甚至2nm阶段了，7nm已经算不上多先进了。

如果以7nm为成熟芯片和先进芯片的分界线的话，可以很肯定的告诉大家，目前中国大陆还造不出7nm之下的芯片。

那么问题就来了，芯片也是人造的，不是神造的，为何我们这么重视芯片产业，发展了这么多年，还造不出5nm，以及5nm之下的先进芯片呢？

其实造芯片，不是用手搓出来的，分为材料、设备、技术三个方面。

材料中最重要的是硅片，造5nm芯片需要12寸硅晶圆，纯度不能低于99.9999999%（9个9），还有平整度的要求，以前国内造不出这样的硅片。

后来张汝京创办了上海新昇，在2016年实现了300mm半导体硅片的规模化生产，才实现了12寸硅片的0的突破，但如今，在硅片上，依然被国外巨头垄断，国产份额不到5%。

而除了硅片之外，还有光刻胶、各种靶材、气体等，目前国内还有很多欠缺，比如光刻胶，国产光刻机，还只能支持到40nm左右的节点，再往下就要从日本进口了……

除了材料之外，半导体设备也同样重要。

其中最关键的光刻机，大家都清楚的，干式DUV光刻机，最多能制造65nm的芯片，浸润式DUV光刻机，最多能制造7nm的芯片。

只有EUV光刻机，能够制造5nm及以下的芯片。目前ASML的EUV光刻机，不能卖给中国，连浸润式DUV光刻机，都有部分受限了。

而国产光刻机，之前是90nm，前几天工信部公布了一台光刻机，也是65nm，还是干式DUV光刻机的范畴，不可能支持到5nm的……

除了光刻机之外，还有很多设备，也是和工艺相关的，比如刻蚀机等等，目前国内的能够进入5nm的设备，真的不多，大多数靠进口，但目前美国又不准这些厂商卖给中国。

另外还有技术本身，并不是你拥有光刻机、有材料，就一定能够制造出5nm芯片的。

芯片制造也是非常有门槛的，大家看看联电、格芯等，什么材料、设备都能买到，为何还停留在14nm，一方面是他们不想再往下了，二就是技术难度。

像intel，为何多年打磨14nm？也是因为进入先进工艺太难，后来不得不改名，将7nm改成intel4，5nm改成intel3，才算是进入了5nm……

所以，目前在制造先进芯片方面，中国大陆不仅受限于材料、设备，还有技术本身，也需要磨炼，这是一个长期的、不断前进的过程。

基于当前外部形势，中国大陆想要制造出5nm这样的芯片，需要国产产业链都达到5nm节点，这个过程会比较漫长，大家要有耐心一点。

突破欧美围堵！国内公司取得7nm或以下芯片关键技术

近年美国禁止中国输入关键芯片及先进的芯片制作工具，被中国视为是欧美在科技上的围堵。最近中国上海微电子设备（集团）股份有限公司 (SMEE)，公布了一系列制造7nm及以下芯片关键能力的专利，或许可以突破欧美的科技围堵。

图片由SMEE官方网页下载

中国国家智慧财产局于9月10日披露了一项名为“极紫外线辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，内容涉及极紫外线辐射（EUV）发生装置及光刻设备，申请者为上海微电子装备（集团）股份有限公司。

上海微电子此次揭露的专利主要涉及EUV光源及光刻设备，其中重点的极紫外线辐射发生器（光源）主要包括腔体、靶材产生器、雷射产生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。

据资料来源指，极紫外线辐射EUV微影技术，是一种先进的芯片制造技术，可在半导体晶圆上绘制极其精细的电路，从而生产出更小、更强大的芯片。这项技术使用极紫外光（EUV）作为光源，比传统微影技术能达到更高的精准度。拥有 EUV 光刻技术专利意味著掌握了制造7nm及以下芯片的关键能力。

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