为什么中国大陆，还制造不出5nm、3nm的先进芯片？

什么样的芯片算是先进芯片？按照之前行业惯例，28nm以下的芯片，称之为先进芯片，而28nm及以上的芯片，称之为成熟芯片。

不过，随着时代的进步，现在大家都觉得只有5nm及以下的芯片，才算是先进芯片，至于7nm甚至7nm之上的，10nm、14nm芯片等，都不算先进芯片了。

毕竟目前像台积电、三星、英特尔都进入3nm，甚至2nm阶段了，7nm已经算不上多先进了。

如果以7nm为成熟芯片和先进芯片的分界线的话，可以很肯定的告诉大家，目前中国大陆还造不出7nm之下的芯片。

那么问题就来了，芯片也是人造的，不是神造的，为何我们这么重视芯片产业，发展了这么多年，还造不出5nm，以及5nm之下的先进芯片呢？

其实造芯片，不是用手搓出来的，分为材料、设备、技术三个方面。

材料中最重要的是硅片，造5nm芯片需要12寸硅晶圆，纯度不能低于99.9999999%（9个9），还有平整度的要求，以前国内造不出这样的硅片。

后来张汝京创办了上海新昇，在2016年实现了300mm半导体硅片的规模化生产，才实现了12寸硅片的0的突破，但如今，在硅片上，依然被国外巨头垄断，国产份额不到5%。

而除了硅片之外，还有光刻胶、各种靶材、气体等，目前国内还有很多欠缺，比如光刻胶，国产光刻机，还只能支持到40nm左右的节点，再往下就要从日本进口了……

除了材料之外，半导体设备也同样重要。

其中最关键的光刻机，大家都清楚的，干式DUV光刻机，最多能制造65nm的芯片，浸润式DUV光刻机，最多能制造7nm的芯片。

只有EUV光刻机，能够制造5nm及以下的芯片。目前ASML的EUV光刻机，不能卖给中国，连浸润式DUV光刻机，都有部分受限了。

而国产光刻机，之前是90nm，前几天工信部公布了一台光刻机，也是65nm，还是干式DUV光刻机的范畴，不可能支持到5nm的……

除了光刻机之外，还有很多设备，也是和工艺相关的，比如刻蚀机等等，目前国内的能够进入5nm的设备，真的不多，大多数靠进口，但目前美国又不准这些厂商卖给中国。

另外还有技术本身，并不是你拥有光刻机、有材料，就一定能够制造出5nm芯片的。

芯片制造也是非常有门槛的，大家看看联电、格芯等，什么材料、设备都能买到，为何还停留在14nm，一方面是他们不想再往下了，二就是技术难度。

像intel，为何多年打磨14nm？也是因为进入先进工艺太难，后来不得不改名，将7nm改成intel4，5nm改成intel3，才算是进入了5nm……

所以，目前在制造先进芯片方面，中国大陆不仅受限于材料、设备，还有技术本身，也需要磨炼，这是一个长期的、不断前进的过程。

基于当前外部形势，中国大陆想要制造出5nm这样的芯片，需要国产产业链都达到5nm节点，这个过程会比较漫长，大家要有耐心一点。

为什么中国大陆，还制造不出5nm、3nm的先进芯片？

为什么中国大陆，还制造不出5nm、3nm的先进芯片？

中国芯片产业的挑战与机遇：从5nm到未来

在全球科技竞争加剧的背景下，中国大陆的芯片制造能力显得尤为重要。为什么中国大陆至今无法生产5nm及以下的先进芯片？这个问题不仅关乎技术和产业链，更涉及国家安全、经济发展和国际关系。通过深入分析当前的形势，我们可以发现这一过程背后的复杂性和潜在的机遇。

芯片的定义与分类

我们需要明确什么样的芯片算是“先进芯片”。过去，28nm以下的芯片被认为是先进的，而随着技术的发展，现在的行业共识是5nm及以下的芯片才算得上真正的先进。台积电、三星和英特尔等巨头已进入3nm甚至2nm阶段，使得7nm芯片逐渐沦为“成熟产品”的代名词。

中国大陆在这一领域仍处于起步阶段，当前的芯片制造能力尚未突破7nm。这一现状反映了中国在材料、设备和技术等多个方面的短板。

材料瓶颈：纯度与生产能力

制造5nm芯片的首要条件是高纯度的硅片。制造12寸硅晶圆的纯度要求达到99.9999999%（九个9），这在技术上并非易事。尽管近年来中国企业如上海新昇在此领域取得了一定进展，但目前国产硅片的市场份额仍不足5%。这意味着，中国在关键材料的自主生产上依然面临较大挑战。

光刻胶等其他材料的短缺也限制了中国芯片制造商的能力。例如，国产光刻机的能力仅限于40nm，而更先进的光刻胶依然需要依赖进口。这一系列材料问题，直接影响了5nm芯片的生产能力。

设备缺失：光刻机的关键角色

除了材料，半导体设备的短缺同样是中国大陆芯片生产的一个重要障碍。光刻机是芯片制造中的关键设备，其中EUV光刻机是制造5nm及以下芯片的必要条件。荷兰ASML的EUV光刻机因政治原因无法出售给中国，这极大地限制了中国在先进芯片领域的发展。

当前，中国的光刻机主要停留在65nm和90nm的水平，完全无法满足5nm芯片的生产需求。其他相关设备如刻蚀机的技术水平也相对滞后，进一步加剧了这一困境。

技术壁垒：不仅仅是设备与材料

芯片制造不仅仅是拥有设备和材料的问题。技术的复杂性和制造工艺的要求使得这一过程充满挑战。例如，联电和格芯等台湾企业尽管拥有大量资源，却依然无法突破14nm。这背后不仅是技术的瓶颈，更是对新技术的理解和掌握。

Intel在14nm工艺上的长时间研发正是这一现象的缩影。由于新工艺的技术难度，Intel不得不将7nm工艺重新命名为“Intel 4”，以此减轻市场对其技术能力的质疑。

国际形势与产业链的重组

当前的国际形势为中国芯片产业的发展带来了新的挑战与机遇。美方对中国的制裁与限制，不仅影响了关键材料和设备的进口，也迫使中国企业加速自主研发的步伐。在这场“科技冷战”中，中国必须重新审视自身的产业链结构，以寻求突破。

许多专家认为，随着政策的支持和市场的需求，中国有可能在未来几年内实现5nm芯片的自主生产。国家在基础研究和技术研发上的投入不断增加，这为未来的发展奠定了基础。

未来展望：耐心与坚持

面对这些挑战，中国芯片产业的未来并非一片光明，但也并非绝望。国内企业需要在材料、设备和技术上持续发力，建立完整的产业链。与此国家层面的支持与合作也将是推动这一进程的重要因素。

在这个技术迅速发展的时代，中国需要耐心和长远的视角，稳步推进芯片产业的发展。只有通过不断的努力与创新，中国才能在全球芯片竞争中占据一席之地。

总结与行动号召

总的中国大陆在5nm芯片制造上的短板反映了更深层次的产业问题。未来的成功不仅依赖于技术的突破，更需要全产业链的协同发展。我们可以通过深化技术合作、加大研发投入和培养人才等方式，逐步弥补这些短板。

你认为中国在芯片制造上还有哪些潜在的突破口？欢迎分享你的观点，参与这一重要的讨论！

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