国星光电申请倒装LED芯片结构及其制备方法专利，提高光强的同时还能保持更低的能耗和更薄的厚度

金融界2024年4月10日消息，据国家知识产权局公告，佛山市国星光电股份有限公司申请一项名为“一种倒装LED芯片结构及其制备方法“，公开号CN117855370A，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本申请属于电子元器件领域，涉及一种倒装LED芯片结构，包括基板、焊盘、焊料层以及LED芯片；基板上设有至少一个焊接槽；焊盘装设于焊接槽内，焊盘的形状与焊接槽的形状匹配，且焊盘的顶面开口与基板的表面平齐；焊料层填充于焊盘内；LED芯片通过焊料层倒装焊接于基板上，其中，LED芯片位于焊接槽，且至少部分包裹于焊料层内。本申请还涉及一种倒装LED芯片结构的制备方法。本申请提供的技术方案能够避免由于刷锡不佳导致的连接不良，提高LED芯片与焊料层之间的电性连接，提高光强的同时还能保持更低的能耗和更薄的厚度。

本文源自金融界

山西中科潞安紫外光电科技取得深紫外倒装 LED 芯片专利，提高深紫外倒装 LED 芯片的出光效率

金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司取得一项名为“一种深紫外倒装 LED 芯片及其制备方法“，授权公告号 CN118398737B，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种深紫外倒装 LED 芯片及其制备方法，属于 LED 芯片制备技术领域。包括衬底、AIN 缓冲层、N 型 AlGaN 层、N 型金属欧姆接触层、有源层、P 型 AlGaN 层、P 型 GaN 层、多个凸型结构、P 型反射金属欧姆接触层、钝化层、第一 Pad 金属层、两个第二 Pad 金属层、第一金锡共晶层和两个第二金锡共晶层。通过在 P 型 GaN 层的正面间隔刻蚀多个凸型结构，并在多个凸型结构正面形成 P 型反射金属欧姆接触层，能够使 P 型反射金属欧姆接触层与 P 型 GaN 层呈一定的角度，增大 P 型反射金属欧姆接触层的反射面积，还能够使 P 型 GaN 层与 P 型反射金属欧姆接触层之间形成形成良好的欧姆接触，从而提高深紫外倒装 LED 芯片的出光效率。

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