长江存储交付192层NAND芯片？5年时间，国产就追上三星、美光了

近日，外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3D NAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。

我们再结合前段时间的消息，那就是长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

这两则消息一结合，意味着国产存储芯片，真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。

要知道目前NAND闪存最高规格也就是UFS3.1，至于UFS4.0，三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚

而3D NAND闪存当前最高量产层数，也就是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。

而我们一旦搞定UFS3.1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了世界顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多时间，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。

到2019年，长江存储推出了64层TLC技术，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。

后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。

不仅如此，采用Xtacking技术后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准，性能甚至略胜一筹。

不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是落后一代，而层数越高，密度越大，成本就越低。

如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。

按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%，预计到再到2022年预计的7%。

可见，仅仅5年多时间，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，以后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 因为我们不仅有，一样全球领先。

国产存储芯片又取得突破，长江存储192层闪存送样，预计年底量产

头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。

长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。

2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。

为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

长江存储只用了3年的时间，就实现了从32层到128层的跨越，完成同领域企业6年走过的路。

4月份，长江存储推出了一款高速UFS 3.1闪存芯片，性能方面与当下最优秀的各家大厂相比，完全不落下风。

例如，行业里最好的三星UFS 3.1闪存芯片，其512GB版读取速度2100MB/s，写入速度1200MB/s。而UC023的512GB版读取速度2000MB/s，写入速度1250MB/s，可以说不分伯仲，2款芯片都处于行业里最顶尖的水平。

美光在去年发布了176层的UFS 3.1闪存，但其读取速度只有1500MB/s，而写入速度却未进行公布，估计是因为性能上占不到优势。所以说，长江存储的闪存芯片，已经非常优秀了。

另外，根据业内传出消息称，长江存储也打入苹果供应链，为iPhone SE 3供应闪存芯片，这也是最好的证明。

当然，从时间维度上来看，我们还处于落后，例如三星是2020年3月推出的UFS 3.1闪存芯片，但是我们起步晚，目前来说已经取得了飞速的进步。

当然，从行业里来看，其他厂商也在加大研发力度，例如，近日美光发布了业界首个232层3D闪存芯片，预计年底或者明年开始量产。

三星也发布了224层3D闪存芯片，同样预计年底量产。

另外三星还宣布，已经研发出UFS 4.0闪存芯片，每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的两倍，基于三星第七代V-NAND闪存和自研主控，可以实现高达4200MB/s的顺序读取速度和高达2800MB/s的写入速度，为当今性能最高的闪存芯片。

所以如果从相似规格或者相近性能角度来说，我们的国产闪存芯片还落后世界顶尖水平1-2年时间。但我相信，用不了多久，一定可以追上这个差距。

除了在技术方面，国产闪存的产能上也略显不足。目前，长江存储已经将月产量扩大至10万片晶圆，并且随着武汉的工厂二期项目的建设，预计到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额也有望达到7-8%。但是与行业大厂相比，还是有很大的差距。

总之，192层3D NAND闪存芯片，将是长江存储发展过程中的一个里程碑，同时它也意味着，国产存储芯片在追赶美国、韩国顶尖企业的道路上，又前进了一大步。并且在这个领域，我们已经完全不用惧怕国外的打压和封锁，不会存在卡脖子的难题。

好了，今天咱们就聊到这儿，大家有什么想法可以在评论区留言，一起参与讨论。记得关注我，我是老万，谢谢大家，明天我们不见不散。

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