晶丰明源再推合封氮化镓芯片BP83223，可有效减小体积并降低成本

前言

在氮化镓快充市场不断拓展的过程中，电源技术水平也在不断提升，起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，而且成本也比较高。

为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，目前已有众多电源芯片厂商着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线。这些芯片能够将氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能整合在一颗芯片上，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅能够提升整体方案的性能，还有助于减少PCB板的占用空间、缩小产品尺寸，并削减物料成本。合封氮化镓芯片的应用范围广泛，包括电子设备、通信设备、电动汽车充电器、工业电源以及可再生能源系统等。这些芯片不仅可以提供高效的电源转换，还常常包括多种保护功能以确保电源系统的安全性和可靠性。

充电头网从最近的拆解中发现了晶丰明源推出的一款内部集成650V耐压，115mΩ导阻增强型氮化镓开关管的主动式PFC芯片BP83223，只需少量的外围器件即可实现高精度恒压输出、高功率因素和低电流谐波。

BP83223氮化镓合封芯片

晶丰明源BP83223，是一颗内部集成650V耐压，115mΩ导阻增强型氮化镓开关管的主动式PFC芯片，采用单级结构，可有效芯片PFC电感和高压滤波电容，减小体积降低成本，内部集成高压启动和输入电压采样电路，具备增强的PF控制算法，只需要很少的外围器件就可以实现高精度恒压输出、高功率因数和低电流谐波。

BP83223输出功率最高可达100W，待机功耗极低，在230V电压下待机功耗小于100mW，具有优异的线性调整率和负载调整率，并且内置了动态加速模块，能有效地改善系统对负载的响应速度，提供稳定的输出电压性能。

BP83223 采用 Ton 时间控制机制，内置了 PF 增强控制算法，可轻松满足轻载下的新 ErP 分次电流谐波标准。准谐振工作模式（BCM 和 DCM）在谷底开通功率管，可实现更高的效率和较优的 EMI 性能。

BP83223 采用了频率折返控制技术，系统在较大负载时工作于 BCM 模式，随着负载减小进入 DCM 模式，同时降低开关频率，有利于提高轻载效率。BP83223 内置多种保护，包括逐周期限流、输出短路保护、输出过压保护、次级整流管短路保护、过载保护、VCC 过压/欠压保护、输入欠压保护、以及过温保护等。BP83223 采用 ESOP-10 封装，具备较好的散热性能。

充电头网总结

晶丰明源BP83223通过集成650V高压GaN功率管、PWM控制、驱动和多种保护功能，有效简化了电路设计，减少了外围器件需求，提升了功率密度，同时降低了成本和尺寸，Ton时间控制和频率折返技术保证了在不同负载条件下的高效率和优越的EMI性能，实现了高效率、高性能和高可靠性的电源解决方案。

氮化镓（GaN）快充背后的芯片技术和三大潜在赢家

一、雷军上阵，吹响氮化镓快充的号角

2020年2月13日，小米通过线上直播的形式，面向百万观众，正式发布了小米10Pro系列手机以及部分配件产品。其中，小米65W氮化镓充电器成为本次发布会的一大重要亮点。据小米首席执行官雷军介绍，该款充电器具有小巧、高效、发热低等特点，并且支持小米10Pro超级快充，对一块4500mAH的超大电池从0%充电至100%仅需45分钟，小米就此也成为了第一家将氮化镓USB PD快充单独零售的品牌手机企业，并且149元的零售价更是创下行业新低，引发业内人士高度关注。小米GaN充电器Type-C 65W内置智能识别芯片，可以兼容市面上主流智能手机、Type-C接口的笔记本电脑及其它电子设备。

二、氮化镓快充时代来临

早在雷军之前，2019年，做为3C配件市场发展风向标的香港电子展，我们就已经察觉到氮化镓快充发展的迅猛势头：2019年4月份春节展，8款氮化镓充电器新品参展；而到了10月份秋季展，氮化镓充电器新品多达56款，不到一年增长近7倍。

同时，在前不久刚刚结束的美国CES展会上，充电头网了解到，参展的氮化镓充电器数量也已经多达66款，涵盖了18W、30W、65W、100W等多个功率段，以及全新品类超级扩展坞，全面满足手机、平板、笔电的充电需求。

除了笔电市场充电技术的更新换代，5G商用临近，让手机续航、充电面临新的挑战。当前手机电池技术没有重大突破，遇到高速网络、视频游戏等沉浸应用，续航成为制约手机使用时长的瓶颈。这时采用全新氮化镓技术方案的有线快充，能够利用碎片化时间迅速补充电量，被市场极度看好和重视，现如今成为手机的重要卖点之一。

三、氮化镓快充背后的功率芯片技术及三大主要供货厂家

当前市场上氮化镓快充电源主要采用650V氮化镓功率芯片（GaNFET)作为功率开关，应用氮化镓高频特性，使得终端快充产品体积更小，效率更高。对比传统的MOSFET 产品，GaNFET由于采用异质外延材料，在设计及制造工艺上都有极大的挑战，全球范围内成熟的可量产的GaN产线十分有限。

据充电头网了解，目前出现在香港电子展及美国CES展会上的众多氮化镓充电产品背后的氮化镓功率芯片主要来源于三大供货厂家：

*IDM: Integrated Design Manufacturer，集成设计制造商，既有IC设计能力也有IC制造能力的公司**Fabless：无晶圆厂的IC设计公司，只负责IC的设计，不负责IC的制造生产，一般其IC交由专业的代工厂进行加工

1、Power Integrations, Inc. ，总部位于美国硅谷, 是一家拥有三十多年的历史，专注于高压电源管理及控制的高性能电子元器件及电源方案的供应商，其产品品质及品牌在全球拥有很高的认可度。PI推出的集成电路和二极管为包括移动设备、电视机、PC、家电、智能电表和LED灯在内的大量电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。

2019年9月，OPPO发布的65W 基于SuperVOOC 2.0技术的氮化镓快充，是品牌手机厂商首次将氮化镓快充作为手机标配，其利用的也正是PI的PowiGaN系列的氮化镓芯片。彼时PI在氮化镓PowiGaN功率芯片的累计发货量就已超过一百万颗，是目前累计发货量最大的厂家。

2、纳微半导体（Navitas）拥有强大的功率半导体行业专家团队，专有的 AllGaN工艺设计套件将最高性能的GaNFET与逻辑和模拟电路单片集成，可为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源。此次小米发布的氮化镓快充产品就是采用了纳微半导体的功率芯片产品。

3、英诺赛科（Innoscience）作为唯一上榜的国产硅基氮化镓厂商，在当前中美贸易战的大背景下获得了许多厂商的关注，业界对其发展潜力十分看好。公司在珠海和苏州建有两个8英寸硅基氮化镓芯片研发生产基地，产品线覆盖30V-650V的全系列氮化镓芯片，自有失效分析和可靠性实验室为产品品质保驾护航，目前在快充领域已有超过10家企业利用其高压氮化镓芯片成功开发出快充产品并实现量产。英诺赛科虽然起步较晚，但是在商业模式（IDM），工艺先进性，产品覆盖面，产能布局等核心方面都具有极大的优势，未来发展十分值得期待。

四、风口浪尖，群雄逐鹿

随着2020年的到来，氮化镓快充会迅速开始渗透手机和笔记本等电子设备的配件市场，市场容量有望迅速扩大，各大主流电商及电源厂也是摩拳擦掌；另外一方面，氮化镓快充将逐渐被各主流手机厂商作为手机出厂的标准配件，其市规模更是异常可观，并势必会把氮化镓技术的应用推向又一个巅峰。历史性的风口已经形成，未来可以持续推出质量稳定可靠及高性价比的产品，同时掌握氮化镓芯片产能的厂家，将会脱颖而出，成为这次市场争霸的最大赢家。

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