华大智造申请芯片及其制备方法、试剂盒及其用途专利，提高测序准确性

金融界2024年3月1日消息，据国家知识产权局公告，深圳华大智造科技股份有限公司申请一项名为“芯片及其制备方法、试剂盒及其用途“，公开号CN117625376A，申请日期为2022年8月。

专利摘要显示，本公开提供了芯片及其制备方法、试剂盒及其用途。芯片上设有发光标识，发光标识将芯片划分为至少两个测试区域，每个测试区域用于固定待测序样品；发光标识在目标波长的光照激发下发光，用于对测序拍摄进行位置配准。本公开通过在芯片上设有发光标识，该发光标识在目标波长的光照激发下发光，实现测序拍摄的位置配准。相较于依赖于待测序样本本身发光实现位置配准，本公开实施例中采用发光标识发光实现位置配准的方式，不易受到环境以及DNA文库碱基分布情况影响，发光标识发光稳定、持久，有助于位置配准时进行特征识别，便于位置配准，提高位置配准的精确度和效率，进而提升测序准确性。

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华大智造申请测序芯片及其制备方法专利，测序芯片制作更自主可控、成本更低

金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，深圳华大智造科技股份有限公司申请一项名为“测序芯片及其制备方法“，公开号CN117701373A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种测序芯片及其制备方法，测序芯片具体包括：基底；在基底上形成的吸附层，吸附层基于气相沉积在基底上沉积吸附材料形成；在吸附层上形成的氧化层；在氧化层上形成的压印层，压印层基于工作模具对氧化层上涂有的压印胶进行压印形成，压印层形成有与工作模具对应的图案；在形成有图案的氧化层上刻蚀形成有若干孔结构，若干孔结构具有吸附作用。本申请的测序芯片不依赖DUV，可以使用除硅晶圆外的基底，如玻璃或非标准尺寸基底；测序芯片通量的进一步提升时，无需引入更先进的DUV光刻机台与新的工艺流程，适用性更好；另外，测序芯片测序前处理工艺简化、测序芯片制作更自主可控、成本更低。

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