我们熟知的NAND闪存，还有个“双胞胎兄弟”

【IT168 评论】无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。

　　NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型，它具有不同的设计拓扑结构，某些特定的应用场景下更为适合。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前，检查其结构差异是很重要的。

　　NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片，是当前市面上嵌入式以及独立式SSD的主要原材料。多层单元(MLC)技术和3D制造工艺的结合，将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上，使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。

　　NAND与NOR电路基础

　　尽管NAND闪存是这两种非易失性内存技术中相对流行的一种，但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的区别和命名，需要简要回顾一下逻辑门的基础知识。

　　NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”（and）以及“或”（or）。如下所示，NAND和NOR都生成响应两个二进制输入的输出。

响应两个二进制输入的NAND和NOR输出

　　NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。

　　NAND门在概念上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面跟着一个NOT门，这是一个逻辑反转。相应的，NOR门在概念上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1，然后是NOT门，这是一个逻辑倒装。

　　布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存至关重要，因为闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中，一组中的所有单元(通常是一个字节的倍数，取决于芯片的大小)共享一条位线，并以串行方式连接每个单元，每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节，通常为4 KB到16 KB。因此，只有当所有的字线都是高或单状态时，位线才会降低或变为零状态，这实际上将内存组转换为一个多输入NAND门。

　　与此相反，NOR闪存并行组织位线的方式是，当位线和字线都处于低或零状态时，内存单元只保持高或单状态。

　　NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上，而不需要外部接触，从而显著减少了其横截面积。

　　NAND闪存单元的串联连接意味着它们不需要单元之间通过金属层进行外部接触——而这正是NOR拓扑结构所需的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级，或100倍。此外，组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中，位线类似于垂直管道。

　　相反，由于NOR闪存单元不能单独寻址，因此它们对于随机访问应用程序更快。

　　NAND与NOR产品类型

　　这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异，它们有各自最适合的应用程序类型。除了容量外，NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和成本特性，如下图所示。

　　这两种闪存中也有几种不同的产品类型，它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式控制功能方面有所不同。

　　NAND闪存产品类型

　　NAND闪存以单层（SLC）、多层（MLC）、三层（TLC）或四层（QLC）的形式在每个单元（cell）中存储bit，分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适合于工作负载，简单来说，每个单元的位数越高，其容量就越大——当然，是以数据持久性和稳定性为代价的。

　　NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片，这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中使用。相比之下，托管型NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能，比如磨损调平、坏块管理(从使用中消除非功能性内存块)和数据冗余。

　　NOR闪存产品类型

　　串行设备通过只暴露少量(通常是1到8个)I/O信号来减少包的pin数。对于需要快速连续读取的应用程序来说，这是理想的选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

　　并行NOR产品暴露多个字节，而且通常使用内存页而不是单独的字节进行操作，更适用于启动代码和高容量应用程序，包括数码单反相机、存储卡和电话。

　　两种闪存都是不可或缺的

　　NAND是闪存的主力，广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过，NOR 闪存在存储可执行的启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序方面起着关键作用。显然，这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。

　　原文作者：Kurt Marko

形势严峻：被美国打压，国产NAND芯片原地踏步，份额仅5%

近日，知名机构TrendForce集邦咨询，发布了2024年一季度全球NAND FLASH闪存市场报告。

数据显示，一季度全球NAND营收环比增长28.1%，达147.1亿美元。原因就是因为AI发展，以及PC、手机开始回暖，所以NAND需求增长了，导致整个存储芯片市场是价、量齐升。

而从具体的排名来看，三星、SK海力士、铠侠、美光、西部数据这5大巨头排名前五，没什么变化，这5大巨头合计拿下了94.6%的份额。

也就是说留给其它小厂商的市场，其实只有5.4%左右，这里面包括中国大陆、台湾等一些小NAND Flash闪存厂商。

看到这里，估计很多知道整个NAND闪存市场的网友，肯定是一片叹息，因为被美国打压之后，国产NAND闪存，几年了依然是原地踏步，没能崛起进入前五名，真是徒呼奈何啊。

我所说的国产NAND闪存厂商，指的就是长江存储，这家成立于2016年的国产存储芯片厂商，表现是非常猛的。

2016年才成立，2017年就量产32层堆叠的3D NAND，然后在2018年发明了晶栈技术，也叫做Xtacking。

有了这个技术之后，长江存储就真的牛了，进入64层堆叠存储技术之后，直接跳过96层，迈入128层，和三星、SK海力士、美光等巨头的技术差距，越来越小。

到了2022年下半年，长江存储更是成为全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商，比美光、三星等还领先。232层存储，存储密度更高，成本更低，同时速度会更快。

而按照正常的技术路线来说，谁最先掌握最先进的技术，那么就会利用这个技术，以及利用时间窗口，快速的扩大市场优势。

如果一切正常，在232层存储推出后，长江存储会迅速扩产，提高产能，向市场铺货，然后提升市场份额，和三星、SK海力士、美光等竞争。

不曾想，看到中国存储芯片这么先进，美国坐不住了，开始对长江存储进行打压，将其列入实体清单，对先进的设备进行封禁。

然后一些美国的半导体设备厂商，取消了订单，甚至连已经下单的先进机器也不发货了，还撤回了服务团队。

于是长江存储先进产能扩产计划没能顺利实施，当然232层的技术优势，也没能好好利用，毕竟买不到设备，没法扩产，再有技术又能怎么样呢？

而在长江存储被制裁的情况之下，三星、美光、SK海力士等迅速追了上来，并且技术不断进步，如今在堆叠技术上，已经超过了长江存储了，让人真是愤怒。

可见，依托于国外设备/技术的突破，有时候就宛如空中楼阁，对方一卡就废了，还得国产设备/技术顶上来，解决供应链的突破，才是真突破啊，你觉得呢？

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