捷捷微电取得可控硅芯片专利，节省了芯片面积，降低了制造成本，提高了生产效率

金融界2024年6月17日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法“，授权公告号CN117954483B，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种横向结构的可控硅芯片，包括N‑型硅衬底，所述N－型硅衬底的上端设置有P型阳极区、P型阴极区、N+型阴极区、N+型截止环、阳极电极、阴极电极、门极电极和表面钝化层，所述P型阳极区和P型阴极区对称设置在N‑型硅衬底上端的两侧，所述N+型阴极区设置在P型阴极区上端面的内侧，所述N+型截止环设置在N‑型硅衬底上端围绕在P型阳极区、P型阴极区外侧，所述阳极电极设置在P型阳极区上端面，所述阴极电极设置在N+型阴极区上端面。本发明可控硅芯片将有源区设置在芯片正面，取消了P+型穿通环结构的设计，且无需分压环就能满足VDRM＞900 V的要求，节省了芯片面积，降低了制造成本，提高了生产效率。

本文源自金融界

捷捷微电取得一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法专利，提升电路安全性并降低生产制造成本

金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法“，授权公告号CN110071171B，申请日期为2019年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法，芯片包含中部的N型长基区N1，P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7，隔离墙P1，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4）等。尤其所述的：P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开；P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性，使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件，甚至可以取消前端的TVS保护器件，既提升了电路安全性、又简化了电路器件，且降低生产制造成本。

本文源自金融界

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