第四代骁龙8确认！3nm+自研架构，终于能正面击败苹果了？

再过不到三个月，高通的最新旗舰处理器第三代骁龙8就要发布了，这意味着各位手中的搭载第二代骁龙8的手机，又要变成「老古董」了，不得不感叹如今电子产品的迭代速度之快。

（图片来源：雷科技摄制）

看到这则新闻，小雷有些疑惑，毕竟之前三星代工的几款骁龙处理器并未达到市场的预期，为何高通又要重新把生产授权交给三星？台积电和三星的双版本骁龙8 Gen 4是否又会给予手机厂商们更多选择？

3nm+新架构，高通骁龙要起飞？

熟悉科技行业的读者们应该清楚，按照台积电的迭代速度，3nm制程工艺已经在今年正式投入量产，而首批吃上3nm制程红利的并非高通和联发科，而是苹果。

3nm制程工艺最大的优势就是能提供更高的晶体管密度，允许设计师在同样大小的处理器中安装更多的核心，能够有效提升处理器的能效比。官方表示相比起5nm工艺，在晶体管逻辑密度可以提升1.7 倍，性能提升11%，同等性能下功耗可以降低25%-30%。

（图片来源：veer.com 图片已获取授权）

换句话说，今年即将发布的iPhone 15系列就能凭借3nm制程红利，在性能、续航、功耗等多个方面和安卓市场拉开不小的差距。而高通和联发科没选择首批用上3nm制程工艺的原因也很简单，生产成本太高，除了苹果外几乎没有一家厂商能承担得起。因此高通选择等到3nm工艺成本下降后再给自家处理器用上也是无奈之举。

那么用上3nm的第四代骁龙8到底什么水平呢？首先可以确定的是，第四代骁龙8在能效比和性能上的提升会远超第三代骁龙8处理器；其次还有业内人士爆料，第四代骁龙8将舍弃高通使用多年的Arm架构，转而使用自研的Nuvia CPU架构。

根据透露，高通自研的Nuvia架构能让CPU采用短流水线、且没有睿频的设计，因此不存在随着功耗提高、性能增长速度大幅减慢的问题，可以应用于非常广泛的低功耗场景。

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业内人士预测第四代骁龙8会采用2个Nuvia Phoenix性能核心和6个Nuvia Phoenix M核心的全新双集群八核心CPU架构方案。最高频率可达到3.4GHz，4个定制设计的能效核，最高频率为2.5GHz。此外，其GPU采用了Adreno 740，支持DirectX 12、OpenCL/DirectML和Vulkan 1.3，配有AV1编解码器。

基于新架构，高通自然也带来了更多的进步，根据消息暗示，第四代骁龙8处理器将拥有三个版本，其中最差的拥有4个性能核心以及4个能效核心，定位中端的有6个性能核心以及4个能效核心，定位最高端的则拥有8个性能核心和4个能效核心，这也是首款核心数达到12颗的手机处理器。

除了核心数上的差距，小雷预计三款第四代骁龙 8处理器在频率、GPU方面也会有所不同，也能帮助手机厂商更好地在不同价位配备相应的处理器。

另外第四代骁龙8处理器还将支持LPDDR6标准内存，相比主流的LPDDR5X，在内存带宽和功耗方面会有20%左右的提升，在读取游戏或是大型文件时加载速度会更快。不过更换架构也并非全是好事，更换CPU架构意味着手机厂商之前辛辛苦苦做好的成熟适配方案将全部作废，包括影像、性能调度、音频等方面，需要大量的时间和人力来弥补。

虽说目前关于第四代骁龙8的信息还不多，但可以确定的是它相比第二代和第三代骁龙8，会有较大的提升。

双版本3nm，高通想做什么？

开头我们就曾提到，除了我们的老朋友台积电外，三星也极有可能成为第四代骁龙8的供货商之一。不过三星之前代工过的两款骁龙处理器，在能效比上的表现有些不尽人意，导致三星工艺在市场中的口碑一直不怎么好。不过为了防止用户出现体验上的差异，高通也是比较诚实，专门做了区分。

有意思的是，从工艺架构来看，三星的3nm制程工艺采用的是GAA架构，而台积电则是传统的FinFET晶体管架构，三星也因此成为业界第一个将GAA技术应用到手机芯片上的代工厂商。

（图片来源：雷科技摄制）

GAA FET架构的晶体管提供了比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求，这意味着在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力比FinFET更强，尺寸可以进一步微缩。因此此次的三星代工，我们可以报一些期望。

那么，高通为什么要冒着风险使用双代工呢？ 说白了还是成本，哪怕到了2024年台积电3nm制程工艺的成本会有所下滑，但成本相比5nm还是要高出不少的。另外根据之前的爆料，台积电3nm的良率并非我们想象中那么高，预计台积电3nm工艺的良率在55%-60%，这也意味着更高的成本和相对低的生产效率，也成为今年多数厂商放弃3nm工艺的原因。

为了尽可能降低量产成本，选择向另一家代工厂抛出橄榄枝是正确的选择，一旦让台积电在该领域形成了垄断趋势，不管是高通还是手机厂商都会受到波及。

（图片来源：veer.com 图片已获取授权）

不难看出，高通第四代骁龙8极有可能成为安卓市场崛起的信号，3nm工艺制程加上高通自研的架构系统能够进一步发挥出骁龙芯片的潜力。在被苹果A系列芯片领先多年之后，如今的第二代骁龙8已经在 GPU 方面有所超越，后面的随着第三代骁龙8和第四代骁龙8的不断迭代，未来性能将不再成为区分苹果与安卓手机的重要参数，安卓手机或将走上性能领先的道路。

我国研制出世界首个碳纳米管张量处理器芯片：高性能、高能效

IT之家 7 月 22 日消息，北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队，在下一代芯片技术领域取得重大突破，成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片（TPU）。

该芯片由 3000 个碳纳米管场效应晶体管组成，能够高效执行卷积运算和矩阵乘法。该芯片采用了新型器件工艺和脉动阵列架构，可实现并行的 2 位整数乘积累加运算。实验表明，基于该 TPU 的五层卷积神经网络可以在功耗仅为 295μW 的情况下，实现高达 88% 的 MNIST 图像识别准确率。

研究团队通过优化碳纳米管制造工艺，获得了纯度高达 99.9999% 的半导体材料和超洁净表面，从而制造出具有高电流密度和均匀性的晶体管。模拟结果显示，采用 180 纳米工艺节点的 8 位碳纳米管 TPU 有望达到 850 MHz 的主频和每瓦 1 万亿次运算的能效水平。

这一成果标志着碳纳米管技术在芯片领域取得重大进展，有望满足人工智能时代对高性能、高能效芯片的需求。

IT之家注意到，相关研究成果 7 月 22 日已发表于《自然・电子学》。北京大学电子学院碳基电子学研究中心的司佳助理研究员为该论文的第一作者，彭练矛院士和张志勇教授为通讯作者，北京邮电大学张盼盼特聘研究员为共同第一作者。

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